看网上有65nm的文件库概要 https://blog.csdn.net/weixin_38753095/article/details/107094109 ,想着自己做个28nm的,方便后来的学习者。 Special Note:本文不提供任何TSMC 工艺库文件下载,维护本站的规定(https://bbs.eetop.cn/thread-429124-1-1.html) 此文如有侵权,告知后会进行删除。 T28 ...
对ESD/Latch-up/TLP报告的解读是每一个ESD工程师,乃至模拟IC工程师都需要掌握的技能。这一期以一个IC设计工程师的角度讲一下如何分析这几种报告。 ( 这方面肯定一线的测试工程师更加专业,IC设计工程师只需要能读懂这些测试报告,并得到几项关键数据就行) 一.MK2测试报告 目前国内主流的芯片级ESD测试还是以 ...
今天发现Calculator的PN函数是对jitter的PSD计算,学习过程很波折,又回头把数字信号处理的离散信号的傅里叶变换学了一遍,简单做了记录,希望对大家的学习也有帮助。 1、首先明确两个区别 a、功率谱和功率谱密度的区别 b 、频谱和功率普密度的区别 2 、功率谱和功率谱密度的区别 因为我们常把功率 ...
上文我们介绍了 ADC( 模数转换器 ) 的失调和增益误差 。根据所使用的硬件,可以使用定点方法或浮点方法来实现校准方程。另一种方法是使用包含集成校准功能的ADC,因为在精密ADC中可能会找到不同类型的校准功能,即: 自校准 系统校准 背景校准 在本文中,我们将探讨自校准功能。 ADC 校准选 ...
模数转换器(ADC)有多种规格描述(specification)。 根据应用需求,其中一些规范可能比其他规范更重要。 比如: 在直流规格中,如失调误差、增益误差、积分非线性(INL)和差分非线性(DNL),在使用ADC对慢速移动信号(如应变片和温度传感器的信号)进行数字化处理的仪器仪表应用中尤为重要。 本文深入探讨失调 ...
书接上文,我们已经探讨了Latch-up发生的机理,那这一期就讲一下Latch-up的测试流程与预防措施。 二.Latch-up测试流程。 目前通用的Latch-up测试标准是 JESD78E 。该标准中将Latch-up测试分为两种: 1.电流测试 I-test ,用于测试非电源管脚; 2.电压测试 V-test 用于测试电源管脚。其中I-test又有 正向注入 ...
可能有些同事会遇到这样的问题,stream outgds file时,没有真正导出需要的layout 信息,但是还是生成了一份空的gds file。尤其在自动化脚本中来执行stream out gds这个的动作,生成的无效gds提供到drc 或lvs的flow 中,导致drclvs 的过程中报nothing in layout 相似的错误。 所以在自动化脚本执行ve ...
ESD,EOS,Latch-up都是芯片在制造,运输,使用过程中的风险源,他们会对芯片造成不同程度的物理损伤。所以芯片在设计过程中不得不考虑这些因素。前几篇文章都聚焦于ESD防护,这一期讨论芯片Latch-up防护。 (国内关于Latch-up最详细的书籍是《CMOS集成电路闩锁效应》,本期大部分资料也是源于该书) 一.Latch-up定义 ...
介绍 深度亚微米技术的进步,以及增加多种功能以降低成本,结合现有操作规模,意味着SoC的设计变得更加复杂。 低于16纳米工艺节点的最大驱动因素是这些先进节点更高的晶体管密度所带来的功率下降和性能提高。然而,这样做会给物理实现和时序/功率收敛带来挑战。特别是高速IP,如SerDes、DDR、PCIE在大型SoC中的集 ...
给版图初学者小建议,养成绘制版图的好习惯。如有不妥之处或者更好的建议,非常乐意接受,望和所有版图工作者共同成长进步! 1、像下图中,mos管的guardring尽量靠近mos,原因是减少mos管区域的衬底电阻,如果是大的driver管子的话,还会防止latch up的发生。 2、当碰到这种电路的时候,要明白mos在floorplan的时候,怎 ...
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