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浅谈ESD/Latch-up测试报告与TLP报告的解读

热度 10已有 5747 次阅读| 2022-12-1 14:56 |个人分类:ESD防护|系统分类:芯片设计| ESD;TLP;HBM

对ESD/Latch-up/TLP报告的解读是每一个ESD工程师,乃至模拟IC工程师都需要掌握的技能。这一期以一个IC设计工程师的角度讲一下如何分析这几种报告。这方面肯定一线的测试工程师更加专业,IC设计工程师只需要能读懂这些测试报告,并得到几项关键数据就行)


一.MK2测试报告
目前国内主流的芯片级ESD测试还是以HBM为主,HMM和MM较少,非车规的话CDM也较少(如果有需求笔者后续也可以做一期)。所以这期就以主流的HBM/Latch-up测试仪MK2为例,讲解MK2测试报告。

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图一.MK2TE.ESD和闩锁测试系统。(图源网络)
这台仪器主要是做HBM和Latch-up测试。其测试报告通常包括测试说明与测试结果。
测试说明如图所示:

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图一.测试摘要。

图一是测试摘要,说明PAD分组之间的测试过程测试步长样品数量测试结果。ESD测试遵循的是木桶原理,以最低通过等级定义整个芯片的ESD等级。

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图二.引脚分组表。
图二是引脚分组表。为了方便测试,工程师会根据产品手册对引脚进行分组
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图三.测试流程。

图三是测试流程,对测试过程进行说明。ESD测试需要对PAD进行正负放电测试。

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图四.MK2测试说明。

图四是详细测试结果,具体说明哪些引脚失效,哪些引脚通过测试,以及失效等级。除此之外,测试工程师还会提供一份MK2测试仪的输出文件。打开后就能看到详细的测试结果。
就以某一引脚为例(实例图片包含项目信息就不放了),测试报告中第一行是pre-stress,即为施加ESD应力前,先对引脚测量一次对GND的I-V曲线,此曲线本身并没有含义,只是作为后续测试的基线,用以参考芯片是否损坏。如果post-stress的IV曲线与pre-stress的曲线差异超过30%即为失效。而测试顺序按照测试摘要进行,通过比对测试摘要便能确定失效引脚的ESD放电路径。MK2测试仪能提供的信息还是较为有限,只能知道出问题的ESD路径。(放电路径在第一期详解ESD中提出过)
二.Latch-up测试报告。
关于Latch-up的测试细节前两期已经讲过了,Latch-up的测试结果与图三类似,通过对比pr-stress和post-stress的结果确定失效引脚。
三.TLP
TLP(Transmission Line Pulse)传输线脉冲发生器,这是目前分析ESD最重要的仪器手段之一。MK2测试仪只能反馈通过与否,是一个静态的测试过程。而TLP能实时反应芯片的I-V曲线,是一个动态的测试过程。TLP不仅能模拟HBM波形也能模拟CDM和MM波形,同时也能连接浪涌发生器。

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图六.TLP仪器照片。(图源网络)

图六中可以看出TLP配备有脉冲发生器,探针台,真空泵,示波器等设备。

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图六.TLP原理图。

图七为TLP原理图,可以看出TLP的工作原理,通过输入频率极高的方波用以模仿HBM的高频波形,但是其与HBM波形还是存在些许差距,这就导致了HBM的结果通常与TLP结果相左。目前主流还是以MK2的测试结果为HBM能力标准。这两者的关系打个比方:MK2相当于只知道考试结果通过与否的正考,而TLP相当于公布了分数的模拟考。虽然模拟考可能不准确,但是能对设计人员提供详细的参数,而MK2只能输出一个黑盒结果。

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图七.Snap-back型TLP曲线示例。

图八是TLP的一个示例,该示例是一种Snap-back型ESD器件,该型器件产生负阻曲线的原因在于其导电机制发生了本质变化(具体过程GGNMOS,SCR等章节已经讲过)。TLP结果中通常会有两条线,实线是ESD器件在高频方波激励下的IV曲线,虚线是DC监测的漏电流,用以观察是否失效。而TLP曲线重点关注几个点:
Trigger Point:该点表明内部反偏结已经发生击穿。
Holding Point:该点表明内部导电机制已经趋于稳定,器件开始正常工作。而从Trigger Point到Holding Point之间的负微分电阻过程被称为Snap-back。
Leakage avalanche threshold:该点说明漏电流陡增,内部器件损坏,同样该虚线变化量在一定范围内说明可能存在软失效,而超过30%说明产生硬损伤。
2nd breakdown:该点说明ESD防护器件自身产生损坏。Leakage avalanche threshold与2nd breakdown都表明发生了ESD失效,简单的说虚线上的Leakage avalanche threshold说明是在DC监测下被保护的内部电路发生了问题,而直线上的2nd breakdown说明ESD器件本身损坏。(这只是个经验上的参考,实际可能复杂的多,也不一定准确)

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图八.Non-snap back型TLP曲线。

图八所示,还有一种non-Snap-back型ESD器件(主要以GCNMOS,Diode为主),该型ESD器件的TLP曲线,并不会存在负微分电阻曲线。

TLP曲线在测量与分析中有些tips需要注意:


  1. TLP曲线测试时的DC偏压设置,该直流偏压是为了观察芯片是否失效的基准,虽然其本身不具有很大的实际含义,但是其数值还是不建议过高,建议在10nA~10μA之间(根据芯片的工艺与直流工作电压调整)。
  2. 如实物图所示,目前大部分TLP还是需要探针台手动扎针,而且TLP的激励是高频信号,很容易受噪声影响。所以TLP曲线经常奇奇怪怪,歪歪扭扭的。多次的重复测试还是蛮需要的。


欢迎大家关注公众号:番茄ESD小栈 获取更多ESD资讯。

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刚表态过的朋友 (6 人)

发表评论 评论 (4 个评论)

回复 dorea 2023-7-18 09:38
感谢作者,学到了
回复 suifengpiaoyang 2024-3-28 22:23
MK2测试结果根本推不出来路径,因为不是某个pin的iv,有时候是绑起来的iv,一出问题就要重复很多实验
回复 qwertyu6140 2024-7-23 21:39
之前碰到过,BIAS电源接地不好,造成的TLP曲线,提前很早出现拐点!
回复 hootasp 2024-10-12 08:40
学习了

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