《我的精神家园》序 年轻时读萧伯纳的剧本《巴巴拉少校》，有场戏给我留下了深刻的印象：工业巨头安德谢夫老爷子见到了多年不见的儿子斯泰芬，问他对做什么有兴趣。这个年轻人在科学、文艺、法律等一切方面一无所长，但他说自己有一项长处：会明辨是非。老爷子把自己的儿子暴损了一通，说这件事难倒了一切科学家、政治家 ...

Process Antenna Effect，PAE----------------------------- 等离子刻蚀时，暴露在离子束下的金属或poly会积累电荷（就像一根天线一样，收集电荷）而产生电势，积累的电荷与暴露在离子束下金属面积成正比；如果积累了足够电荷的一根长金属线或POLY直接连接到MOS管的GATE上时，就会放电，栅氧会被击穿，导致芯 ...

shift + R --------快速拐弯-------leHiReShape() G --------------开关引力gravity,老是胡乱吸附，可以关掉-----leToggleGravity() T --------------layer Tap层切换--------------------leHiLayerTap() 按完T点鼠标点到哪个层次就切换到哪个层次，省事，就不用点左边边栏换 ...

有时候直观的感觉是错的，比如对运放反馈电阻的噪声分析： 我的错误直觉告诉我，当阻值相同时，rin和rfb对输出的噪声贡献不一样，rf在loop内，而rin在loop外 实际上两者的噪声贡献是相通的，因为分析的是输出噪声所有在主通路（这里指运放——运放差分对和输出之间的高增益通路称为主通路）之外的噪声都要在运放差分对生 ...

图示： MOM就是finger插指电容，即利用同层metal边沿之间的C，为了省面积，可以多层metal叠加； MIM是利用上下两层metal之间的C，即极板电容， 下极板为Mn，上极板为Mn+1 ，因为普通的Mn和Mn+1在三维空间隔着氧化层离得比较远，所以C并不大。MIM会引入一层光罩（MCT之类），这一层做在Mn上面 ...

wpe是指poly和aa相交的区域的上边沿（即管子w长的俩边）到肼边沿的距离对管子的影响，因为不同类型的离子会对背栅产生影响，所以放到中间是最好的（即有无poly接口俩面留的距离是一样的），180工艺wpe效应是3um足以。 lod是指poly和aa相交的区域的左右边沿(即管子L长的俩边)到AA（s、d）边的距离，一般是指管子用finger的 ...

图示： P_diode或N_diode:

电路图示： power clamp由触发电路和bigmos共同组成，在pin to pin和VDD to VSS模式下，之间的ESD电流通过power clamp来泄放； 当电路受到ESD冲击时钳住电源电压，保护内部电路。

太空应用对电子系统提出了重大挑战，因为它们一旦发射就必须应对无数的环境因素。这些因素包括极端温度、辐射、冲击和振动——电子系统必须承受所有这些因素才能满足严格的可靠性标准。为了应对这些挑战，专为空间应用设计的先进处理器变得至关重要。在这篇文章中，我们将探索一款专为太空任务量身定制的尖端 RISC-V 内核 ...

我们在平时的项目中通常都会遇到mos 或res 等器件的parameter 值不符合预期。比方说 1. 在做模拟模块，默认调出来的mos 的DFM都是min的，而我们需要的是DFM+Analog. 2. 在做logic模块，想让默认调进了的mos 的dummy poly个数都是一个，而且不需要放到diff上，这样能尽可能的减小mos的面积。 等等这样需要重新 ...