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分享 ESD(9): 2006-8-26 10:03; 天气 : 晴朗心情 : 高兴第十章結論　　ESD防護技術隨著CMOS製程的先進演變而越來越困難，然而世界先進國家的各大IC廠商在ESD防護上的研究更趨熱烈，各式各樣的技術都被嘗試用在ESD防護上，因而已有六百多件ESD相關的美國專利已刊登出來。本文乃就各種可能的技術中，介紹在CMOS製 ...; 3134 次阅读|1 个评论

分享 ESD(8): 2006-8-26 10:01; 天气 : 晴朗心情 : 高兴第八章靜電放電防護設計之案例探討　　ESD防護設計隨著積體電路的各式各樣應用而會有不同的設計出現。但在深次微米CMOS製程技術下，越來越嚴重的ESD問題是元件充電模式(CDM)之靜電放電現象。由於輸入的閘極氧化層(gate oxide)在0.25μm製程下，僅約50A厚度而已，如 ...; 5047 次阅读|0 个评论

分享 ESD(7): 2006-8-26 10:00; 天气 : 晴朗心情 : 高兴第七章全晶片防護設計　　靜電放電造成CMOS IC的損壞已是眾所週知的可靠度問題。當CMOS製程技術縮小到次微米階段，先進的製程技術，例如更薄的閘極氧化層，更短的通道長度，更淺的汲極/源極接面深度，LDD(低摻雜濃度汲極)結構，以及金屬矽化物(silicided)擴 ...; 8991 次阅读|0 个评论

分享 ESD(6): 2006-8-26 09:57; 天气 : 晴朗心情 : 高兴第六章互補式金氧半積體電路之靜電放電防護技術　　在前面的章節中，已就積體電路的靜電放電防護，做一基本性的概念教導。在本章中，將就靜電放電防護設計做技術專業上的進一步說明，以利從事積體電路工作者，得以改善其 IC對靜電放電(ESD)的可靠度問題。 6 ...; 12401 次阅读|3 个评论

分享 ESD(5): 2006-8-26 08:52; 天气 : 晴朗心情 : 高兴第五章傳輸線觸波產生器系統(TLPG System) 前言：　　從對二次崩潰點的了解可知，二次崩潰電流(It 2 )代表了元件到達p-n接面所能承受的最大電流值，在過了此點後，元件就會出現永久性的破壞而有相當大的漏電電流，無法回復原來特性。由此可知，當以人體靜電 ...; 4182 次阅读|0 个评论

分享 ESD(4): 2006-8-26 08:50; 天气 : 晴朗心情 : 高兴第四章靜電放電防護設計之基本概念　　為了避免積體電路在生產過程中被靜電放電所損傷，在積體電路內皆有製作靜電放電防護電路。靜電放電防護電路是積體電路上專門用來做靜電放電防護之用的特殊電路，此靜電放電防護電路提供了ESD電流路徑，以免ESD 放電時電 ...; 6120 次阅读|3 个评论

分享 ESD(3): 2006-8-26 08:48; 天气 : 晴朗心情 : 高兴第三章靜電放電的測試　　在了解靜電放電的模式後，正本清源的工作只做了一半，接下來必需了解靜電放電如何影響IC內部，而靜電放電電流如何在IC中流竄是有一脈絡可循，針對各pin間做交叉放電分析是最基本的測試方式，但並非胡亂交叉測試就能得到結論，必需 ...; 4185 次阅读|1 个评论

分享 ESD(2): 2006-8-26 08:44; 天气 : 晴朗心情 : 高兴第二章靜電放電的模式以及工業測試標準　　因ESD產生的原因及其對積體電路放電的方式不同， ESD目前被分類為下列四類: (1) 人體放電模式 (Human-Body Model, HBM) (2) 機器放電模式 (Machine Model, MM) (3) 元件充電模式 (Charged-Device Model, CDM) (4) ...; 5795 次阅读|0 个评论

分享 esd: 2006-8-26 07:59; 暂无链接 : 点击访问; 1482 次阅读|0 个评论

分享 ESD(1): 2006-8-26 07:56; 天气 : 晴朗心情 : 高兴第一章簡介 (Introduction) 　　在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的 ...; 1743 次阅读|1 个评论

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