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- 稳压电容取值 2025-06-25
- 一、稳压电容（电源去耦电容） 用途 ：抑制电源噪声（高频开关噪声/低频纹波），维持电源完整性。 设计原则 ：在目标频段内提供足够低的阻抗路径（ Z ...
- MOS工艺里面，为什么一般都用Nwell来做隔离 2025-06-25
- 一、物理原理：PN结的天然隔离特性 反向偏置PN结的耗尽区 N-well与P型衬底（P-sub）形成 PN结 ，当N-well接电源电压（VDD）、P-sub接地（GND）时， ...
- bsim模型与栅氧厚度相关参数 2025-06-17
- 在BSIM MOSFET模型中，氧化层厚度相关的参数（ Toxe , Toxp , Toxm , Toxref , Dtox ）扮演着关键角色，它们描述了栅氧化层的 ...
- bsim模型参数定义 2025-06-17
- ---转自huszhusz（https://blog.eetop.cn/blog-1230214-6949904.html），方便自己查找。 Name Description Units De ...
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