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- 温度对电流镜匹配的影响 2025-08-25
- 核心原理：温度如何引入失配 电流镜匹配的核心在于确保两个或多个晶体管在 相同的偏置条件（Vgs对于MOS，Vbe对于BJT）下，产生绝对相同的电流 。温度通过改变 ...
- 环路GBW与环路响应速度的关系 2025-08-22
- 单位增益带宽（GBW）直接决定了环路的小信号响应速度。GBW越高，环路对输入小信号变化的响应速度越快，建立时间越短。 下面我们从几个层面来深入理解这个关 ...
- 双环gard ring与单环gard ring 2025-07-15
- 一、核心优势对比 能力维度 单层Guard Ring 双层Guard Ring 优势提升机理 闩锁防护 阻断单一载流子路径（空穴/电子） 同时阻断空穴 ...
- gard ring 2025-07-15
- 一、Guard Ring 的核心作用 闩锁效应（Latch-up）防护 N型环 ：包围PMOS，接电源（VDD），收集空穴。 P型环 ：包围NMOS，接地（VSS），收集电 ...
- MOS阈值电压与够到长度的关系 2025-07-07
- 核心原因：非均匀沟道掺杂 现代 CMOS 工艺为了抑制短沟道效应（SCE），会采用 局部高掺杂技术 （如 Halo/Pocket 注入 ）： 方法 ：在源/漏结边缘附近 ...
- 稳压电容取值 2025-06-25
- 一、稳压电容（电源去耦电容） 用途 ：抑制电源噪声（高频开关噪声/低频纹波），维持电源完整性。 设计原则 ：在目标频段内提供足够低的阻抗路径（ Z ...
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