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早在 1982 年,我在 Intel 时就第一次接触到布局生成器,大约 10% 的 GPU 是使用我编写的一些代码自动生成的。对于一名工程师来说,这是一项容易完成的任务,因为电路是数字的,不需要优化。 在2022 年第 18 届国际合成、建模、分析和仿真方法以及电路设计应用会议的 IEEE 论文中,有一篇由来自 Fraunhofer IIS/EAS、M ...
1 焊盘 焊盘的尺寸和结构由可靠性和键合引线的直径决定的。若键合引线的直径范围是25um~50um,那最小焊盘尺寸在70umX70um到100umX100um之间。相邻两个焊盘之间的距离通常至少为25um。 简单的焊盘可能仅由最顶层金属形成的正方形构成,但是这种结构在键合时容易被扯动而剥离。因此一般都是由最上面两层金属构成 ...
在两个二进制状态之间存在过渡区间,而使比较器快速的通过过渡区间是非常重要的。 1 比较器的特性 1.1静态特性 1.2动态特性 大信号:响应时间和传输时延 输入信号幅度较大会使得时延较短,当输入电平增大到一个上限,此时即使输入电平再增大也无法对时延产生影响,这时的电压变化率称为摆率。 ...
NMOS主要有两种ESD防护应用:一种是之前讲的GGNMOS,另一种是GCNMOS(Gate Coupling NMOS)。现阶段也已经出现了(Bulk Coupling NMOS),接下来 这两种ESD防护器件 都会进行讲解。 GCNMOS的工作原理与GGNMOS不同,GGNMOS是利用体寄生三极管的开启进行ESD静电流的泄放通路,而GCNMOS则利用了NMOS器件的 沟道 作为泄放 ...
这期聊一下LDMOS在ESD设计中的应用。LDMOS属于功率半导体器件,主要应用于高压场合。而针对高压芯片的ESD防护领域,可采取GGNLDMOS的设计思路。 在讲解LDMOS的ESD防护机理之前,先要简单解释下LDMOS的工作原理。 图一.nLDMOS结构示意图。 N-LDMOS为了提高器件的耐压性能,在器件内部制作了n-drift区 ...
在芯片级ESD防护中最普遍的器件就是增强型NMOS(下文中的NMOS都是增强型),接下来的几期会浅谈一下NMOS在ESD防护中的作用与设计思路。 目前主流的ESD-NMOS有两大设计思路:GGNMOS(Gate Ground NMOS),GCNMOS(Gate Couple NMOS)。其中GGNMOS最为常见,设计最为简单。但是其巨大的寄生电容使其在serdes与AD-DA ...
上期讲了HBM,MM,CDM三种芯片级ESD事件,这期讲一下系统级ESD事件:空气放电,接触放电,浪涌,热插拔这几种ESD事件,其中气放电,接触放电是由IEC61000-4-2进行解释,而浪涌是由IEC61000-4-5进行解释。 一.系统级ESD事件类别: 1.接触放电: 实验设备的电极与被测设备直接接触。 ...
ESD(Electro-Static discharge )是广泛存在于你我身边的自然现象,小时候上自然课就学过摩擦生电。而静电对于工业界来说有时候是很头疼的东西,世界上最大的飞艇兴登堡号就是因为静电原因坠毁的。随着IC的规模越来越大,线宽越来越小,芯片也越来越娇贵,EOS(Electrical Over Stress )失效问题也日益严重,而E ...
使用 NMOS作为功率管结构的优点: 1、NMOS管的导通电阻很小,功率管上的压降很小,在片外仅仅需要很小的输出电容以及较低的ESR(等效串联电阻)就能将LDO的系统主极点推到高频,提高相位裕度,使功率管栅极的极点变为主极点,同时片外低ESR电容还能产生零点补偿在输出端上生成的极点,实现LDO的环路稳定。 2、NMOS的 ...
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