日志
- 分享 双极型晶体管
- 双极型晶体管的基本结构--BJT Bipolar Junction Transistor NPN型三极管的结构 N：集电极C，集电区与基区的较大接触面积，掺杂浓度最低； P：基级B，基区薄，掺杂 ...
- 分享 calibre 操作界面说明
- 如下内容来源：360doc.com DRC （lvs pex 类似） lvs pex inputs 界面中 netlist 中电路网表存在，直接调取，取消勾选“Export from schematic viewer”,反之，若电路网表需要从同名的电路单元导出，则勾选此选项即可； ...
- 分享 封装
- 备注：资料来源《芯片制造--半导体工艺制程实用教程第五版》 在应用于电路或者电子产品之前，单个芯片需从晶圆整体分离出，多数情况下，被置入一个保护性的封装体中； ①可以直接安装在陶瓷衬底的表面作为混合电路的一部分；②与其他芯片一起安装到一个大型的封装体中，作为芯片模块（ MCN ）的一部分；③或 ...
- 分享 模拟电路版图的艺术（第二版）学习笔记--第十一章
- 第十一章 场效应晶体管 11.1 MOS 晶体管的工作原理 11.1.1 MOS晶体管建模 栅极和晶体管的其余部分之间存在绝缘层，即无直流电流从栅极流过，C GS 和C GD 分别表示栅源电容、栅漏电容；压控电流源I 1 为栅氧化层下从漏极经过沟道流向源极的电流； 漏极电流I D ：大小取决于栅源电压V GS 和 ...
- 分享 模拟电路版图的艺术（第二版）学习笔记--第六章
- 第六章 电容和电感 电容存储静电场能量 6.1 电容 1. Q=CV 【Q：施加在导体上的电荷，V：电荷引起的电势差，C：电容的比例常数】； 2. 法拉（F）：电容的标准单位 3. 因成本因素，大的电容通常采用片外方式实现； 4. 集成电路中所有的电容都是平行板电容器，由电极（两块导电 ...
- 分享 layout 个人笔记记录
- 2023.07.13 1. Layout layer SAB SAB指的是salicide block ，【salicide 即硅化物，是比较薄的一层金属和多晶的合金体，主要目的是在多晶硅或者diffusion表面相对比较薄的一层上面生长出一层（或者是淀积）金属-硅的硅化物】 SAB 层用来阻止salicide 的生成，从而得到阻值较高 ...
- 分享 模拟电路版图的艺术（第二版）学习笔记--第二章
- 半导体制造 2.1 硅制造 可以采用将硅石（石英矿：几乎完全由二氧化硅构成）和碳在电炉中加热的方法人工制造硅单质； 碳和硅石中的氧结合，留下较纯净的熔融硅，冷却后，形成大量细小的晶粒并结合在一起生长成细密的灰色固体-- （多晶） 冶金级多晶硅不适于半导体制造--纯净度低和晶体结构 ...
- 分享 模拟电路版图的艺术（第二版）学习笔记--第一章
- 第一章 1.1 半导体 金属、半导体和非金属之间的差别源于各自原子中的电子排布方式；√ 电学特性介于金属和非金属（如：硅和锗）被称为 半导体 ； √ 每个 原子 由带正电的 原子核 及 原子核周围的电子云 组成； √ 电子num= 质子 （原子核中）num= 元素的原子序数 ...
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