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模拟电路版图的艺术（第二版）学习笔记--第十一章
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第十一章 场效应晶体管
11.1 MOS 晶体管的工作原理
11.1.1 MOS晶体管建模
栅极和晶体管的其余部分之间存在绝缘层，即无直流电流从栅极流过，CGS和CGD分别表示栅源电容、栅漏电容；压控电流源I1为栅氧化层下从漏极经过沟道流向源极的电流；
漏极电流ID：大小取决于栅源电压VGS 和漏源电压VDS （书中内容：漏极电流ID的大小取决于栅源电压VGS 和栅漏电压VDS）
栅源电压小于阈值电压Vt，无沟道形成，晶体管处于夹断状态，无电流或很小电流流过；
栅源电压VGS超过阈值电压Vt形成沟道，栅源电压与阈值电压的差值被称为有效栅压Vgst；
漏源电压小于有效栅压，漏极电流近似随漏源电压呈线性变化（晶体管工作在线性区）；
漏源电压大于有效栅压，漏极电流与漏源电压无关（晶体管工作饱和区）；
3. Shichman-Hodge方程
NMOS晶体管Shichman-Hodge方程，k为器件跨导，单位A/V2；
PMOS晶体管的方程：
4. 器件跨导k决定：给定Vgst时，流过MOS管的漏极电流大小；
跨导可表明一个MOS晶体管的尺寸，公式：k=k'(W/L)，
【W，L分别为MOS管沟道的宽度和长度；k'为工艺跨导，为一个常数，k'=(με0εr)/tox ，μ为载流子的有效迁移率，ε0为真空介电常数，8.85x10-12F/m，εr为栅介质的相对介电常数，如纯二氧化硅的相对介电常数约等于3.9，tox代表栅介质的厚度】
NMOS的工艺跨导k'n和PMOS的工艺跨导k'p的简化表达式，tox氧化层的厚度以埃为单位，MOS工艺中采用薄的氧化层以取得最大的器件跨导；栅氧
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