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日志

最新发表的日志| 推荐阅读的日志 | 芯片设计 | 硬件设计 | 嵌入式 | 人工智能 | 生活杂谈 | 其他

分享生物医药 | 基于光谱学方法处理医疗废弃物: 爱蛙科技 2024-6-25 09:09; 随着人们对医疗废弃物危害意识的越来越强，研究人员正研究一种新的处理医疗废物的方法，该方法通过降解可能对环境产生不利影响的化合物来处理医疗废物。缬沙坦是一种用于治疗高血压和心力衰竭的药物，通常不会被患者完全代谢。在这个应用案例中，来自印度的研究人员使用光谱学技术测试表征基于等离子体的降解技术 ...; 39 次阅读|0 个评论

分享 123: zhouxuan2016 2024-6-24 23:03; 1. PRECISION 1000 // 预设精度为1000 2. RESOLUTION 10 // 布局网格大小为0.01um（10/1000），如果没有设置这行，预设值是数据库单位 3. LVS COMPARE CASE YES // 设定是否开启大小写的比较，只有当设置为YES时，SOURCE CASE和LAYOUT CASE才起作用 4. LAYOUT CASE YES // 是否区分布局netlist（device pin name）大 ...; 37 次阅读|0 个评论

分享 AI已经开始应用到各行各业了: mervin_li 2024-6-24 22:58; 话说前些日子，美国科技巨头Nvidia凭借在AI芯片的超前布局，受到华尔街资本的大力追捧，先后超越苹果，微软成为市值第一的宇宙级公司，其总市值甚至一度超过了3.34万亿美元。真-富可敌国。但是不可忽视的事实是，人工智能已经开始快速渗透到科技，生活领域的各个角落了。文本生成式AI ChatGPT ...; 32 次阅读|0 个评论

分享突破2——趁热打铁，高强度工作和学习: hebut_wolf 2024-6-24 17:09; 之前的文章里，我认为世界是离散的、台阶式的，需要突破台阶才能维持更高能量态。突破的要点，一是其中集中能量，二是及时反馈。但为什么要这样做，背后底层的原因是什么？生活的经验告诉我，在做一件事情时，全神贯注，持续不间断（当然吃饭睡觉是必须的），效率特别高？为什么会是这样？老话说趁热打铁，这底 ...; 71 次阅读|1 个评论

分享 KF2CSMC_31_test: xbei86 2024-6-24 15:10; drcExtractRules( bkgnd=geomBkgnd() TO=geomOr(TO) TB=geomOr(TB) GT=geomOr(GT) SP1=geomInside(TOTB) ...; 0 个评论

分享 <Living in harmony with different standards>: cluster116 2024-6-24 11:54; To all who may be concerned in an endeavor to acquire information relating to affairs beyond the range of physical vision we offer for consideration what may be regarded as an incredible narrative of journeys, and we entreat that you shall not pass unfriendly judgment upon that whi ...; 41 次阅读|0 个评论

分享 Cadence Virtuoso IC617从版图提取寄生参数进行后仿真: cj_181888888 2024-6-24 10:27; 版图设计前面使用的是SMIC 0.18um的工艺库，但是它没有xrc规则文件，所以这次的设计换用了SMIC 0.13um的工艺库，网上没有现成的OA库，需要从CDB转成OA，具体可以看我下面给出的文章中的《CDB转OA》。 Cadence Virtuoso IC617中常见的报错和警告的解决方法最终，用这个工艺库设计出来的版图如下。 ...; 56 次阅读|0 个评论热度 10

分享可控硅结构静电防护器件的防闩锁工程: 涛意隆 2024-6-22 15:33; 导语：维持电压低易闩锁是高性能可控硅 SCR(Silicon Controlled Rectifier) 结构静电防护器件设计时需要克服的缺点。本文介绍三类避免 SCR 静电防护器件在 CMOS 集成电路芯片正常工作时被噪声偶然触发进入闩锁状态的方法，其实质均是使器件的 IV 曲线远离芯片闩锁区域。正文： ...; 69 次阅读|0 个评论热度 10

分享低触发电压可控硅结构静电防护器件: 涛意隆 2024-6-22 15:31; 导语：可控硅 SCR(Silicon Controlled Rectifier) 结构静电防护器件由于其自身的正反馈机制，具有单位面积泄放电流高、导通电阻小、鲁棒性强、防护级别高的优点，但同时它还引入了触发电压高响应速度慢、维持电压低易闩锁的缺点。本文介绍可控硅结构静电防护器件降低触发电压提高开启速度的方法。 ...; 56 次阅读|0 个评论

分享多叉指MOSFET器件静电防护鲁棒性提升技巧: 涛意隆 2024-6-22 14:21; 导语：栅极接地 NMOS 是一种广泛应用的片上 ESD 器件结构，为达到特定 ESD 防护等级，一般会采用多叉指版图形式来减小器件占用的芯片面积。但是，多叉指栅极接地 NMOS 在 ESD 应力作用下，各个叉指难于做到均匀开启，无法达到预期 ESD 防护等级。本文从版图、器件结构、触发技术等角度介绍一些 ...; 70 次阅读|0 个评论

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