疑问1：为何33K和40K不同厚度的顶层金属，在DC时过流能力都是7mA/um；而在AC和IPeak时，过流能力有较大差异？
疑问2：大于20V的NLDMOS的NBL为什么会有Slot？不知道在工艺上有什么特殊操作和考量？

DC

• 
  

  20V

  

芯片制造过程中有多次热退火，热退火会让离子进一步扩散，深埋层HVBN经多次的热退火再扩散最终形成均匀N型埋层，浓度也会比没Slot的低，以此提高耐压。

不是的吧，HVBN开孔能降低HVBN浓度，后面多道工序都涉及到退火，HVBN注入的离子肯定会重新分布的，应该会连上；
开孔是为了节约一层光罩，不然要一个低浓度HVBN，一个高浓度HVBN两层光照，工序也多了；
降低浓度是为了提高耗尽区宽度来提高耐压，所以只在高压的HVBN上有SLOT开孔。

都不是很严谨的解答：

1.过流能力那里40K厚度我就直接按照10mA/um算了，一般来说没问题，真功率管上的数据还是要靠R3d类似的软件去跑一下电流密度。

2.NBL是会扩散的，挖slot应该是为了控制浓度，在做jdv的时候，NBL这一层会往里缩很多，猜测就是统一的操作，来达到对应iso对应sub的耐压

peak 电流计算

输入12V 输出1.2V 使用电感 6.8UH , 一开始设计时最大电流设计在3A
现在想知道当电流在1A时跟0.3A的ripple 跟 peak 电流
是否是带入下面公式算出ripple = 0.317A
要算1A的peak电流   就带入   1A + 0.317A /2
要算0.3A的peak电流 就带入 0.3A + 0.317A /2
这样满怪的电流不管是1A或是0.3A , ripple 都不变

如果变成12V输入 ,5V 输出电感一样是6.8UH
计算出来的ripple 是0.84A
假使现在的输出电流是0.3A , 则peak = 0.3 + 0.84A/2
这样peak 电流就会高达0.72A , 这样量测出来会是0.3A的电流吗?