这个问题在我们组内一直是个争论不休的问题,一种说法是要把模拟地和衬底各自走线,另一种说法是在局部合起来。前者的理论依据是需要给衬底一个相对安静的电位,后者的理论依据是衬底和gnd在局部构成局部地,反而没有衬偏引入的噪声。也就此问过其他人,有的人给的答案更夸张:需要一个独立的衬底在数字和模拟电路之间偏置guardring,然后在数字和模拟各个模块之间用局部的连接。
我个人认为在没有确切的依据之前,似乎没有什么道理认为一种比另一种更好。许多人支持某种做法,只是因为这种做法在以前的单位里是强制性标准,没有机会尝试另一种做法。许多人支持某种做法,只是因为某一次用另一种做法做出来的有问题,或者某一次用这种做法做出来的是成功的。我们组曾经在同一个芯片上用两种做法做了两个模块,结果性能都还不错(低频高snr电路)。所以我个人是没太大偏向的,至少是不偏执于某一种的。
要想知道这个问题的答案,最好的办法是同一个电路用两种做法同时做一个电路,比较测试结果。但这个结果还是无法推广的,只适合于这种特殊情况。为什么呢?请注意不同工艺的衬底电阻是不同的,有的可以看作高阻,有的可以看作低阻。电路的周围环境也可以是不同的,比如数字部分非常多或者数字部分非常少,对应着噪声情况大还是小,高频成分多还是低频成分多。甚至电路本身也可能是不同的,比如自己是pll还是opa。
所以这个问题至今为止,还是一个开放的答案。