## 精读笔记 - <改进型高保持电流SCR（HHISCR）的片上ESD保护，实现系统级IEC 接触ESD 8kV级别>

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On-chip ESD protection with improved high holding current SCR (HHISCR) achieving IEC 8kV contact system level

摘要：

For the design of on-chip ESD clamps against system level ESD stress three main challenges exist: reach a high failure current, ensure latch-up immunity and limit transient overshoots. Bearing these in mind, high system level ESD requirements should be within reach. A novel improved high holding current SCR is introduced fulfilling all three requirements within drastically reduced silicon area.

所用工艺：<工艺>

未说明，应该是0.1um的CMOS工艺下，因为这篇文章是接着HHISCR写的，是对HHISCR的改进。

器件剖面：<剖面>

Figure 16: Optimized layout of the trigger device

TLP测试数据：<测试数据图表>

可以看到，两者的TLP测试结果基本是一致的。但是Improved HHISCR 器件将触发MOS器件集成到电阻中，缩小了器件整体所占用的面积。

文章结论与创新点：<自拟>

本文表明，HHISCR 的优化布局可以通过将触发器件集成到电阻布局中来减少达到 ESD 要求所需的面积。

我的评论及想法：<评论及想法>

本文提到了去除片外ESD防护器件（PCB板上的TVS器件），直接用片上ESD防护器件实现系统级的ESD防护。

利用片上ESD防护成功实现系统级ESD防护的三要素：高电流水平、有限的过冲和闩锁安全性。

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日期：2024-12-30