日志
RCCLAMP个人理解
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RCCLAMP的工作原理：
正常状态：VDD通过R对C进行充电，反相器输入端为高电平，输出端为低电平，nmos Fet处于关闭状态，对核心电路无影响
ESD事件期间：
电容耦合拉低前端电压，当ESD到来VDD被迅速抬升，由于电容C的两端电压不能突变，电容+近似短路，反相器前端电压无法跟随VDD的快速上升，呈低电平状态；
反相器输出高电平；
钳位NMOS的开启，这个高电平被施加到大尺寸NMOS的栅极上，NMOS被迅速开启，在VDD和VSS之间形成一个低电阻的导电沟道，开始泄放；
钳位，由于NMOS的导通，VDD和VSS之间的电压被强制钳位在NMOS的导通电压附近，从而保护了连接在电源轨上的其他核心电路免受高压冲击。
ESD脉冲结束，VDD电压回落。电容C通过电阻R缓慢放电，最终节点A回到高电平，反相器输出变低，NMOS关闭，电路恢复到待机状态。
优点：在稳态下，只有RC网络的漏电流和逆变器的亚阈值漏电，功耗极低，对ESD的快速dV/dt非常敏感，响应迅速
注：RC时间常数需要着重设计，ESD脉冲持续时间＜ R × C＜ 正常上电时间，
钳位NMOS的尺寸必须足够大，以确保其在开启时的导通电阻足够小，能够泄放数安培的ESD电流而自身不被烧毁。
逆变器的尺寸需要能够快速驱动大尺寸NMOS的栅电容。
该设计常被用于电源地之间的钳位，区别于ggnmos/gcnmos的电压触发式，RCCLAMP为速度触发
以上仅为个人理解总结，若有误请指正，谢谢。
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