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之前的文章中,描述了即便SDM加了dither,CP的非线性也会导致小数spur,那CP的非线性是由什么导致的呢?
首先,先描述一下CP的工作原理,下图是拉扎维书中的示意图。当输入的两个信号存在相位差时,PFD会产生QA和QB,QA和QB的异或是相位差,当QA为高电平时,对Vout充电,电流为I1,当QB为高电平时,对Vout放电,电流为I2,I1=I2。因此,当他们同时为高电平时,电流为0。图中QA的高电平脉宽大于QB的,因此,充电多于放电,Vout电压升高。

先考虑CP的线性模型,在CPPLL的线性模型中,PFDCP的增益认为是Kpd,Kpd=Icp/2pi,这个Icp就是图中CP中电流源的电流。

这个线性模型是怎么来的呢?CP的输出是电流,在一个参考周期内,CP的平均电流=充电时间Icp-放电时间Icp,充电时间减去放电时间就是,CLKref和CLKfb的时间差Δt,而Δt占整个ref的周期的比例为,其实也就是相位差占2pi的比例。

那么平均电流为

因此增益=输出/输入=平均电流/相位差=Icp/2pi。
线性模型是Icp/2pi,那其实非线性可以来自两部分,一部分是Icp,一部分是2pi
首先声明一下,这个2pi的非线性其实不严谨,这种说法只是比较好理解。在实际电路中,就是CP的开关时间跟输入的时间差不一致。具体情况有以下几种:
①死区

当输入的相位差很小时,PFD的脉宽不足以打开CP的开关,这个时候,开关时间相当于0,而实际上输入的时间差是存在的。
这个解决办法,通常是在PFD的复位路径增加延时。
②PFD输出的开关信号存在skew

理想情况下,认为上下两个开关管是不会存在skew的,但实际上他们存在一个反相器的延时,所以导致开关导通的时间会与理想的导通时间会有差异。
这个解决办法是如下图所示,在DN路径增加传输门,弥补延时。

③UP信号与DN信号的上升沿和下降沿时间不同
DN和UP信号在导通开关管的时候,上升沿和下降沿的延时不一样也会导致导通时间有差异
解决办法如下图:可以在传输路径通过反相器调整上升沿和下降沿,并且延时也一致。用传输门可能没有这么好的效果。或者可以用其他驱动能力更强的电路。

Icp的非线性也就是上下两个电流源不相等,也就是电流失配。图来自ee620

当CP上下电流失配时,左边波形图显示,即便相位差为0,Vctrl还是会下降,导致不会锁定。只有当存在一定相位差,并且充电电与放电的电荷一致时,才会锁定,但这种锁定,会让Vctrl会周期性波动,如果这个波动不能被环路滤波器滤掉的话,并且是整数PLL,那就会形成参考spur。当然,如果是小数PLL,这种失配,也会导致小数 spur。
那有什么办法解决呢?如下图所示,左边的是电流镜,然后用了一个反馈去调整上下电流,减小这种失配。具体的工作流程下篇文章再讲。

这里的非线性主要是CP中存在开关管,开关管会有很多非理想因素。
①非完全关断
即便电平已经把两个管子给关断了,仍然会存在一些漏电让电流跑到环路滤波器中,尤其是DN更容易漏电。
②电荷共享
当开关闭合的时候,图中的寄生电容Cp和Cn的电荷会影响Vctrl的变化

解决办法如下图(来源于文献③),用了一个放大器保持电流源的Vds电压恒定。这篇论文比大多数从业者的年龄都大,但这个做法还是经常用到。

③电荷注入
电荷注入是开关导通和关闭的时候,开关管的沟道电荷会影响输出,如下图,来源于拉扎维的书(第二版英文版551页)的示意图。这在CP中的影响,就是会导致PLL产生spur。

如何解决,文献④把开关放在电流源上方,但并未解决电荷共享的问题。

④时钟馈通
MOS开关会存在栅漏或者栅源之间的电容,当时钟控制端(变化时,这些电容会耦合一个ΔV到源/漏节点

⑤开关的导通电阻Ron非线性
Ron如果非线性的话,会影响上下电流不一致
CP是CPPLL中非常重要的一个模块,当CP增益大的时候,PLL的带内会更低。但CP的线性度同样也很重要,毕竟线性度不行,spur就会满天飞。
这篇主要是讲哪些地方会导致CP的非线性,后续还需要更近一步如何处理这些非线性。
①Behzad Razavi. Design of analog CMOS Integrated Circuit. 2nd Edition
②EE620_charge pumps
③JSSC1992.A PLL Clock Generator with 5 to 110MHz of Lock Range for Microprocessors
④JSSC2001.A 4-GHz Clock System for a High-Performance System-on-a-Chip Design
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