在新建Library下复制方正工艺的三个文件（diva.rul、gate.rul、techfile.cds）。技术加载本地技术文件。

在版图可见下全选→Edit→Hierarchy→Flatten→设置Flatten Mode:displayed levelsþ→Flatten Pcellsþ其它不用勾选→OK

规则（Pcont_08）：铝线包孔0.3u，孔间距1.2u，孔大小为0.8ux0.8u

设X、Y方向孔的个数：XM为X方向孔的参数，YM为Y方向孔的参数

设置复制属性：

①　设置孔的参数：

选中孔层（cont）→Pcell→Repetition→Repeat in X and Y

X Stepping  Distance：2 （孔间距+孔大小）

Y Stepping  Distance：2

Number of X Repetition：XM

Number of Y Repetition：YM

Adjustment to X Stretch：（（fix（pcRepeat X）-1*pcStepX）

Adjustment to Y Stretch：（（fix（pcRepeat Y）-1*pcStepY）

②　设置控制线（让铝随孔的增加自动增大）

分别选择Stretch in X和Stretch in Y，两条控制线分别穿过孔的中心点

设置X的参数：（控制线垂直画）

Pcell→Stretch→Stretch in X...→画线→双击或Enter→Name or Express for Stretch：（（XM*2）-1.2）【（XM*步长）-孔间距】

设置Y的参数：（控制线水平画）

Pcell→Stretch→Stretch in Y...→画线→双击或Enter→Name or Express for Stretch：（（YM*2）-1.2）【（YM*步长）-孔间距】

（不能勾选Stretch Horizontally Repeated Figures！）

③　设置XM和YM的最小值

Pcell→Parameters→Edit Parameters...

一条导线所能承受的电流（I）等于金属线的宽度x承受电流常数（In），这个常数可以在工艺手册中查到。

amps（安培）

例如：（安培）

如果闪退后cell被锁，进入cell的路径下，删掉layout.cdb.cdslck文件。原理图同理。

PN结形成二极管。P的电流>N的电流，正向二极管。N的电流<P的电流，反向二极管。

版图layout下calibre→Setup→Layout Export→Layout Map File：……/gds.tbl

导出gds→加载gds→加载工艺

（加载gds要写Run Directory Input File、Library Name Top Cell Name！）

（要有techfile.cds才可以转换工艺！）

当前工艺层 层次属性 更换之后层次号 data type

BN drawing 1 0

TO drawing 12 0

TB drawing 10 0

GT drawing 16 0

…………………………………………………………

…………………………………………………………

（旧版本）输入命令：drac_cvt  drac.file  calibre.file

Create→Microwave→Trl

（F3设置宽度）

输入Calibre -gui打开SVS→选LVS→Input选项卡选Netlist VS Netlist→选中两个电路（注：先导出两个Netlist！）→Run

（或者在版图下打开Calibre）

①　在工程选项框内的工作区右键“创建工作区”

填写名称：layout→确定

设置格点：工具→选项...→显示→设置所需格点

②　在版图层框中右键“添加版图层”

填写层名：ACT GDS号：2 尺寸：0.8 显示：随意

勾选可显示，可选中，显示边框

（注：GDS号必须与所画工艺文件内的GDS一致，尺寸不为0）

高级选项卡中设置连接孔层的定义

一定要添加“VA1、PLCNT、PCNT、NCNT、VA2”层

③　添加完版图层后导出版图层，便于以后相同工艺使用

也可以用以前导出的版图层（文件→导入→版图层定义...）

文件→导出→版图层定义...→浏览→选好位置写好文件名→保存→确定（导出了**.tf）

④　编写映射文件map.txt

桌面新建一个.txt的文件，进入编写：

TNSTANCE INSTANCE

CONNECTOR CONNECTOR

LINE1 PL1

LINE2 ME1

LINE3 MET

VIA1 VA1

VIA2 VA2

... ...

其他根据转换时报的错误添加

⑤　转换工作

工程→转投工作区

源Analyzer工作区名称：下拉选择

版图层的映射文件：点击浏览选择写好的map.txt文件→确定

⑥　如果转换的是有金属线的版图，再进行自理

1、导出脚本文件：文件→导出脚本格式

（注：导出时只选择“导出单元模板”和“导出单元实例”）

2、在layeditior 里新建一个工作区：layout2，将导出的脚本文件导入。

（此操作基于已经在Analyzer中提好了电路！）

①　导出GDSII文件

文件→导出→GDSII...→浏览→选择导出位置并写出文件名→填写顶层单元名称TOP→格点0.05→坐标原点设置：指以整个芯片左上角的原点→¨不导出基本单元的内容，直接引用cadence库中的单元→þ在版图层TEMPLATE上导出单元模板的矩形边框→确定

②　导入GDSII文件

文件→导入→GDSII...→浏览→选择.gds文件→þ导入顶层单元的版图。顶层单元名称：TOP→þ覆盖已有的单元内部版图→确定

显示版图：

工具→选项→常规→þ显示单元内部版图

注：Chiplogice里没有的单元，不能在Cadence里建，否则再导回Chiplogice会出错。在Cadence放器件，一定要打散，且删掉绿框！

①　选中要排列的器件→Edit→Other→Align→Selection Mode:选择Set reference to align preselected objects→Alignment Direction（二选一）：Horizontal（水平）Vertical（垂直）→Align Using：Component BBOX→Spacings：设置距离（器件末端与第2个前端距离）→点击Set New Reference→不要关闭窗口→在layout中点一下

②　Copy法：

选中器件→按C→按F3→设置ROW：Columns：X：Y：的值→Hide

在LSW下的Edit→Set Valid Layers...→勾选层次→OK

按C复制→选中单元→将复制单元挪到量好的位置→再按空格键，就能等距离排列了。

选中单元右键→打散单元内部版图→修改→全选→Ctrl+A→OK

Connectivity→Mark Net→F3→Via Layers Used by Mark Net：Select Via Layers→Add  A1 W2 T2→把A1 W2 T2 up到第一→OK→F3→最后设置Mark Net Hierarchy Range：Current to bottom

Shift+S→Search for“label”in“current to bottom”→点Add Criteria→text==“”→勾选Zoom To Figure→Apply→Next

①　先在版图上按K，先别点击

②　然后在CIW界面输入坐标，中间用冒号隔开

③　在版图上能看到有尺子在那里

先导出两个.gds文件→在bash的工作状态下输入：compare _gds A.gds A B.gds B diff.db -XOR→查看Calbre -rve diff.db

先导出两Netlist文件→在bash的工作状态下输入：calibre -gui -lvs→选lvs工艺规则文件，Netlist1，Netlist2→设置好后Run LVS

先导出两个.gds文件→在bash的工作状态下输入：dbdiff  -system  GDS  -design A.gds  A  -refdesign  B.gds  B  -write_xor_rules  rules.xor _compare  text→生成rules.xor文件→再运行：Calibre  -drc  rules.xor→查看：rules .xor .summary文件

在TOP窗口记录4个坐标→创建工作区→名称：Block→取消勾选整个芯片→输入坐标→确定

在Block窗口下→合并工作区→目标工作区：TOP

新建与电路一样名字的layout→Tools→layout XL→Design→Gen From Source...→设置为金属1层→只勾选Instances→OK

Tools→layout

文件→导出→脚本文件

在工程选项卡里，右击工作区→工作区属性

①　无法直接生成版图

重启，重新Attach技术文件，确保电路与版图的技术文件为同一个PDK库。

②　无法引用已经完成的小模块

需要在LAY库下将电路库的电路复制过来，才能生成LAY库下的模块