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深亚微米工艺中MOS器件的版图效应 2024-08-21: 随着工艺尺寸进入深亚微米，对MOS管有影响的两种效应也越来越大，分别是WPE（阱边界效应）和STI（浅槽隔离压力效应） 1、WPE（Well Proximity Effect）阱 ...; (591)次阅读|(0)个评论

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