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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) › 日志

日志

分享封装形式: nesta 2013-1-12 18:05; 1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引 ...; 1415 次阅读|0 个评论热度 2

分享芯片封装: nesta 2009-9-10 14:16; cob封装流程一般COB制作工艺流程及设备应用情况（——将IC邦定在线路板上） SDNr#;E eUpiw@ 第一步:扩晶采用扩张机将厂商提供的整张LED晶片薄膜均匀扩张,使附着在薄膜表面紧密排列的LED晶粒拉开,便于刺晶. +y\$6xs 6bbH)zL ...; 2816 次阅读|1 个评论

分享为什么high poly电阻是负温度系数？: nesta 2009-6-16 09:39; 讨论一下，为什么high poly电阻是负温度系数？ 6 y9 m$ F3 ]* {+ G- t7 Z0 A# g 一般的，poly，n+，p+，nwell，等等都是正温度系数。 * B! B. w. l! ~4 U * e6 |/ n$ \0 k, Q0 E" I j: n$ q. K$ S 目前的答案总结 v, t. C- ?( Y% L% b 电阻率=q*u*n，q为电荷量1.6*10^-19，u为迁移率，n为载流子浓度 : i( m' D, ...; 9025 次阅读|3 个评论热度 1

分享 LDO应用经验: nesta 2008-6-27 15:39; // 某论坛牛人总结的一些 LDO 应用经验，供大家参考。很多观点可能不是很精确，欢迎大侠排砖，跟帖交流！！一、选型 1 、确定电路需要的电压类型是正电压还是负电压。正电压的器件较多，负电压的器件可以考虑 LM2991 （较多大公司使用）； 2 、确 ...; 5516 次阅读|0 个评论

分享 ADC时延和建立时间的区别: nesta 2008-6-16 18:28; 作者：德州仪器 (TI) 高级应用工程师 Bonnie Baker 对于大多数 ADC 用户来说， “ 时延 ” 和 “ 建立时间 ” 这两个术语有时可以互换。但对于 ADC 设计人员而言，他们非常清楚这两个术语的区别，以及这些现象将会如何影响您的应用电路 ...; 1594 次阅读|0 个评论

分享 AD/DA的分类与主要技术指标: nesta 2008-5-6 21:00; 1. AD转换器的分类下面简要介绍常用的几种类型的基本原理及特点：积分型、逐次逼近型、并行比较型/串并行型、Σ-Δ调制型、电容阵列逐次比较型及压频变换型。 1）积分型（如TLC7135）积分型AD工作原理是将输入电压转换成时间(脉冲宽度信号)或频率(脉冲频率),然后由定时器 ...; 2515 次阅读|1 个评论

分享差分信号详解: nesta 2008-5-5 16:41; 差分信号（Differential Signal） 3 p5 h/ N* H6 l7 y 差分信号（Differential Signal）在高速电路设计中的应用越来越广泛，电路中最关键的信号往往都要采用差分结构设计，什么令它这么倍受青睐呢？在 PCB 设计中又如何能保证其良好的性能呢？ ) N! j) s8 q* y 带着这两个问题， ...; 1605 次阅读|0 个评论

分享模拟电路设计经验: nesta 2008-5-5 16:36; 1/Capacitors and resistors have parasitic inductance, about 0.4nH for surfacemount and 4nH for a leaded component. 2/If you don"t want a high bandwidth transistor to oscillate place lossycomponents in at least 2 of the 3 leads. Ferrite beads work well. 3/W ...; 1551 次阅读|0 个评论

分享博士的学习经验: nesta 2008-4-26 21:41; 博士的学习经验！读后，令人茅塞顿开的科研经典之作 1. 先看综述，后看论著看综述搞清概念，看论著掌握方法。 2. 早动手在师兄师姐离开之前学会关键技术。 3. 多数文章看摘要，少数文章看全文掌握了一点查全文的技巧，往往会以搞到全文为乐，以至于没有时间看文章的内容，更不屑于看摘要。真正有用的全文并不多， ...; 977 次阅读|1 个评论

分享关于guardring的画法: nesta 2008-4-25 13:43; 关于guardring的画法，在design rules，有些foundry一般是不提供的. 就个人观点，还是工艺器件结构的把握。在CMOS工艺中，采用保护环，一般是为防止栅锁效应，特别是在I/O驱动旁边的电路，或是大功率、大电流管子。至于怎样加，如在p_sub,N_well单阱工艺中，一般在阱的边缘的内外侧，要特别小心， n_well中围绕器件周围， ...; 3105 次阅读|0 个评论热度 2

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