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关于guardring的画法

热度 2已有 3847 次阅读| 2008-4-25 13:43

关于guardring的画法，在design rules，有些foundry一般是不提供的.
就个人观点，还是工艺器件结构的把握。在CMOS工艺中，采用保护环，一般是
为防止栅锁效应，特别是在I/O驱动旁边的电路，或是大功率、大电流管子。至于
怎样加，如在p_sub,N_well单阱工艺中，一般在阱的边缘的内外侧，要特别小心，
n_well中围绕器件周围，靠近阱边缘，打上ndiff，在打上VDD电位，而在阱外边缘，
即p_sub上，围绕阱，得打上pdiff，打上最低电位，同时最好将管子的源、漏区离
阱的距离尽量远一点，这样下来，也就是一圈电源、一圈地得双保护环。而在bipolar
工艺中，打保护环能防止场开启，防止p_base与p_iso短路。

一句话，设计规则不能解决所有问题，有些问题需要对工艺器件结构要有所了解
才行，设计规则是帮不了忙的。