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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) › 日志

日志

分享浅谈失效分析—EMMI（亮点分析）: u12u34 2022-9-7 17:09; 作为ESD工程师同时要身兼数职，最近在做失效分析，趁此机会正好和大家一起探究下失效分析方面的知识。我做FA的时间并不长，还希望能和大家多多交流。最近手里有两款芯片在做FA（失效分析），正好就讲一下失效分析中最常用的辅助实验手段：亮点分析（EMMI）。一.EMMI设备简介 EMMI：Emission mic ...; 个人分类: ESD防护|3156 次阅读|1 个评论热度 15

分享浅谈ESD防护——GCNMOS: u12u34 2022-8-22 09:25; NMOS主要有两种ESD防护应用：一种是之前讲的GGNMOS，另一种是GCNMOS（Gate Coupling NMOS）。现阶段也已经出现了（Bulk Coupling NMOS），接下来这两种ESD防护器件都会进行讲解。 GCNMOS的工作原理与GGNMOS不同，GGNMOS是利用体寄生三极管的开启进行ESD静电流的泄放通路，而GCNMOS则利用了NMOS器件的沟道作为泄放 ...; 个人分类: ESD防护|6595 次阅读|3 个评论热度 26

分享浅谈ESD防护设计——LDMOS的ESD防护: u12u34 2022-8-22 09:12; 这期聊一下LDMOS在ESD设计中的应用。LDMOS属于功率半导体器件，主要应用于高压场合。而针对高压芯片的ESD防护领域，可采取GGNLDMOS的设计思路。在讲解LDMOS的ESD防护机理之前，先要简单解释下LDMOS的工作原理。图一.nLDMOS结构示意图。 N-LDMOS为了提高器件的耐压性能，在器件内部制作了n-drift区 ...; 个人分类: ESD防护|8459 次阅读|1 个评论热度 19

分享浅谈ESD防护——NMOS的妙用: u12u34 2022-8-19 15:46; 在芯片级ESD防护中最普遍的器件就是增强型NMOS（下文中的NMOS都是增强型），接下来的几期会浅谈一下NMOS在ESD防护中的作用与设计思路。目前主流的ESD-NMOS有两大设计思路：GGNMOS（Gate Ground NMOS），GCNMOS（Gate Couple NMOS）。其中GGNMOS最为常见，设计最为简单。但是其巨大的寄生电容使其在serdes与AD-DA ...; 个人分类: ESD防护|3691 次阅读|4 个评论热度 32

分享浅谈ESD防护——ESD原理详解（二）: u12u34 2022-8-19 15:12; 上期讲了HBM，MM，CDM三种芯片级ESD事件，这期讲一下系统级ESD事件：空气放电，接触放电，浪涌，热插拔这几种ESD事件，其中气放电，接触放电是由IEC61000-4-2进行解释，而浪涌是由IEC61000-4-5进行解释。一.系统级ESD事件类别： 1.接触放电：实验设备的电极与被测设备直接接触。 ...; 个人分类: ESD防护|1911 次阅读|0 个评论热度 6

分享浅谈ESD防护——ESD原理详解（一）: u12u34 2022-8-19 15:08; ESD（Electro-Static discharge ）是广泛存在于你我身边的自然现象，小时候上自然课就学过摩擦生电。而静电对于工业界来说有时候是很头疼的东西，世界上最大的飞艇兴登堡号就是因为静电原因坠毁的。随着IC的规模越来越大，线宽越来越小，芯片也越来越娇贵，EOS（Electrical Over Stress ）失效问题也日益严重，而E ...; 个人分类: ESD防护|6820 次阅读|1 个评论热度 29

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