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分享 模拟学习笔记——零极点分析(2、s域,频域和时域的关系)
CCT111 2023-11-9 17:29
每次想弄清楚零极点的物理本质是什么,如何对系统产生影响(大学信号与系统没好好学),网上找一下相关内容,总能看到 ”Hs=A0/(s+a) 极点为s=-a s=jw 所以w=a时增益-20db/十倍频 “类似的结论。虽然也可以分析电路,但仔细想一想总让人一脸懵逼。s不是等于 σ+jw吗,怎么变成了jw,jw又变成了w, ...
5283 次阅读|14 个评论 热度 55
分享 直面LED Driver测试挑战,助力显示屏行业变中求变!
杭州加速科技 2023-11-9 17:12
杭州亚运会开幕式惊艳世界,引发社会各界一致赞誉!在大气浪漫的舞台效果中,LED屏、裸眼3D屏凭借“硬核科技”出圈,为大家带来科技、活力、诗意的“中国式浪漫”观赏体验。而这美轮美奂的LED呈现效果背后,主要依靠的是LED屏中的LED驱动IC。 LED驱动IC作为LED显示屏的核心组件之一,对于LED显示屏的显示效果、性能和 ...
335 次阅读|0 个评论
分享 2023-11-09
zhouxuan2016 2023-11-9 16:43
主要内容: LOD及OSE效应回顾 PSE效应 应变硅工艺 应力引入机制 eSiGe CESL PMOS和NMOS的尺寸比 如何减小PSE效应的影响 前面很早就写出了版图中WPE、LOD效应的推文: IC后端物理效应--Well Proximity Effect(阱临近效应) 长文--IC后端物理效应--LOD Effect(扩散区长度效应)| LOD与OSE的关系 可是PSE ...
653 次阅读|0 个评论 热度 1
分享 (资料)NXH600B100H4Q2F2S1G、SNXH600B100H4Q2F2S1G-S 三通道飞行电容器升压1000V 20 ...
mjd888 2023-11-9 16:30
NXH600B100H4Q2F2是一款三通道飞行电容升压模块。每个通道包含两个1000V 200A IGBT和两个1200V 60A SiC二极管。该模块包含一个NTC热敏电阻。 特点 模块带有低热阻抗基板 可选焊接引脚或press-fit引脚 1000V低VCE(sat) IGBT和1200V SiC二极管,用于太阳能升压级 应用 MPPT升压级 IGBT 模块: NXH600B ...
336 次阅读|0 个评论
分享 罗德与施瓦茨推出MXO 5首款八通道示波器
ElectroRent 2023-11-9 14:55
罗德与施瓦茨推出了全新的 RS MXO 5 示波器,提供四通道或八通道的选择。这些示波器基于罗德与施瓦茨开发的下一代 MXO-EP 处理 ASIC 技术,该技术在 RS MXO 4 中首次引入,新的八通道 RS MXO 5 示波器将测量性能提升到了新的水平。 RS MXO 5 是下一代示波器,已经为迎接更多挑战而升级。 盘点 | RS MXO ...
247 次阅读|0 个评论
分享 Toradex 宣布与 NXP 合作推出采用 NXP i.MX 95 处理器的 Toradex Titan 评估套件优先 ...
toradex 2023-11-9 12:07
2023 年 11 月 7 日,瑞士霍尔夫 :工业物联网、边缘计算和嵌入式计算解决方案领域的领导者 Toradex 今天在密歇根州底特律举办的恩智浦技术日宣布与 NXP ® Semiconductors合作启动i.MX 95 Titan EVK 优先使用计划,这是基于恩智浦旗舰 i.MX 95 处理器系列的 Toradex 评估套件,具有 NXP eIQ ® Neutr ...
296 次阅读|0 个评论
分享 ycSetArraySize.il
xbei86 2023-11-8 18:14
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0 个评论
分享 如何显著提高ATE电源吞吐量?
ElectroRent 2023-11-8 17:26
作者:是德科技产品经理 Brian Whitaker 作为一名测试工程师,你的工作并不容易。降低成本和提高系统吞吐量的压力一直存在。本文中,我们将讨论影响系统吞吐量的关键因素以及如何降低ATE测试成本。 编程和命令处理速度 在图1中,您可以看到直接影响测试时间的四个主要电源属性:命令处理时间、输出响应时 ...
240 次阅读|0 个评论
分享 AbsInt—确保代码安全的静态性能分析工具
hirain123 2023-11-8 10:49
产品概述 德国AbsInt公司是专注于安全苛求软件研发、确认、验证和认证的工具链供应商,能够为客户提供完整的确保代码安全的性能分析工具套件以及软件分析、验证、确认和编译器技术相关咨询服务。AbsInt产品广泛地应用于工业、交通、汽车、通信和能源等行业的安全苛求软件研发过程中。 &nbs ...
363 次阅读|0 个评论
分享 CMOS集成电路闩锁效应学习笔记
silence201314 2023-11-7 20:51
部分是为了抄写,加深印象,并没有仔细整理。 CMOS工艺技术中固有的寄生NPN和PNP会相互耦合形成PNPN结构,在一定条件下PNPN结构会被触发,形成低阻通路,产生大电流和高温烧毁集成电路。 改善集成电路闩锁效应问题的技术: 重掺杂外延埋层工艺降低衬底等效电阻; 双阱CMOS可以分别调节NW和PW的掺杂浓度来降低他 ...
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