热度 11已有 919 次阅读| 2023-11-7 20:51 |个人分类:ESD学习笔记|系统分类:芯片设计| ESD
部分是为了抄写，加深印象，并没有仔细整理。
CMOS工艺技术中固有的寄生NPN和PNP会相互耦合形成PNPN结构，在一定条件下PNPN结构会被触发，形成低阻通路，产生大电流和高温烧毁集成电路。
改善集成电路闩锁效应问题的技术：
重掺杂外延埋层工艺降低衬底等效电阻；
双阱CMOS可以分别调节NW和PW的掺杂浓度来降低他们的等效电阻；
深沟槽隔离技术降低寄生双极型晶体管的放大系数；
倒阱工艺技术降低寄生双极型晶体管的放大系数、降低衬底等效电阻。
sing3910
评论
查看 »
小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网 ( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )
GMT+8, 2024-11-21 20:49 , Processed in 0.021761 second(s), 15 queries , Gzip On, Redis On.
/2 
eetop公众号
创芯大讲堂
创芯人才网