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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) › 日志

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最新发表的日志| 推荐阅读的日志 | 芯片设计 | 硬件设计 | 嵌入式 | 人工智能 | 生活杂谈 | 其他

分享【京存】混闪存储（SSD+HDD）: 京存高性能存储 2024-5-29 17:49; 在影视后期制作中，会涉及到大量随机读写操作，这对制作存储的IO（输入/输出）性能要求极高，那应该选择什么样的存储能满足日常制作需求呢？例：北京可牛影视文化有限公司，曾参与制作国内外众多优秀电影的后期制作（如流浪地球、长津湖、1921、飞驰人生、消失的她等），在实际生产制作过程中，产生了对大量几百kb到 ...; 14 次阅读|0 个评论

分享基于TAE的数字钥匙自动化测试解决方案: hirain123 2024-5-29 17:26; 方案概述在汽车发展和用户需求的推动下，汽车钥匙开始从传统的机械钥匙向数字化、智能化方向发展。目前常见的数字钥匙集成了蓝牙、NFC、UWB等技术实现了移动设备与车端的通信，可以帮助用户便捷的实现车辆功能控制。随着数字钥匙的广泛应用，相关的测试需求也进一步增加，人工测试无法满足 ...; 16 次阅读|0 个评论

分享 Cadence：dc operating point里一堆电容的含义: 旋转的地球 2024-5-29 15:05; 定义：电容=电荷量/电压值 Cxy = dQx/dVy 所以： Cgg = dQg/dVg : the total capacitance of a mos seen from the gate：栅对地的总电容 Cgs = dQg/dVs : the capacitance between gate and source：栅源电容 Cgd = dQg/dVd : the capacitance between gate and drain：栅漏电容 Cg ...; 28 次阅读|0 个评论

分享我看到的关于体二极管比较好理解的讲述: feilongt#2021 2024-5-28 16:42; 用过MOS管的小伙伴都知道，其内部有一个寄生二极管，有的也叫做体二极管。 1、PMOS管做开关用，S极作电源输入，D极作输出，当Vsg大于阈值电压，MOS管导通，一般MOS管的导通内阻都很小，毫欧级别，过几安培的电流压降也才毫伏级别，此时体二极管是截至状态的。 2、PMOS管D极接电源输入，S极接输出，D极首先通过PMOS ...; 73 次阅读|1 个评论热度 11

分享两条交叉的metal线收头的脚本: Kalahari 2024-5-28 16:40; 47 次阅读|0 个评论

分享没开玩笑！高速信号不能参考电源网络这条规则，其实很难做到 ...: edadoc2013 2024-5-28 15:46; 高速先生成员--黄刚看到这篇文章的题目，我相信大家心里都呈现出了这么一个场景：高速信号线在L20层，我只要把L19和L21层都铺上完整的地平面，这不就满足了高速信号线不能参考电源平面这条规则了吗？这难道很难做到吗？PCB的设计和叠层图都给你截出来了，只要叠层够，这一点都不难啊！是的，高速信号线不能 ...; 58 次阅读|0 个评论

分享 2024-05-28: zy718 2024-5-28 15:18; 1; 38 次阅读|0 个评论

分享主要噪声的形成以及隔离方法: cj_181888888 2024-5-28 14:22; 由于流入衬底的电流引起衬底电压波动而形成的衬底噪声，或与信号线之间寄生电容耦合导致的串扰噪声。衬底噪声隔离方法： 1) 工艺上采用SOI型衬底、浅掺杂衬底、深N阱隔离技术等来减少衬底噪声干扰。 SOI 工艺：在硅晶片下增加氧化层的绝缘；浅掺杂衬底：射频 CMOS 工艺下；深 N 阱隔 ...; 60 次阅读|0 个评论

分享学习下: feilongt#2021 2024-5-28 14:08; 使用到的 skill 函数： geGetEditCellView() ； geChangeEditMode() ...; 48 次阅读|0 个评论

分享修改runset列表: feilongt#2021 2024-5-28 14:06; 本文作者：YEUNGCHIE 本文连接： https://www.cnblogs.com/yeungchie/p/13040472.html 项目多了使用Calibre runset列表的信息会非常多，不便于查找，且当 runset 文件删除之后列表依然会记录无效的路径。由于对应功能没有图形化的入口，需要在个人 home 目录下的 .cgidrcdb ...; 47 次阅读|0 个评论

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