cj_181888888的个人空间 https://blog.eetop.cn/1760954 [收藏] [复制] [分享] [RSS]

空间首页 动态 记录 日志 相册 主题 分享 留言板 个人资料

日志

主要噪声的形成以及隔离方法

已有 463 次阅读| 2024-5-28 14:22 |系统分类:其他

由于流入衬底的电流引起衬底电压波动而形成的衬底噪声,或与信号线之间寄生电容耦合导致的串扰噪声。
衬底噪声隔离方法:
1)      工艺上采用SOI型衬底、浅掺杂衬底、深N阱隔离技术等来减少衬底噪声干扰。
SOI工艺:在硅晶片下增加氧化层的绝缘;
浅掺杂衬底:射频CMOS工艺下;
N阱隔离技术:将敏感的模块或射频电路放在深N阱中。
2)      增大芯片上敏感的模拟模块和数字模块之间的距离,可以减少衬底的耦合效应。
3)  使用保护环来隔离电路模块。
单层保护环。单层保护环由多子保护环构成。
双层保护环。多子保护环和少子保护环构成。
4)  将数字和模拟的电源线、地线分开。

评论 (0 个评论)

  • 关注TA
  • 加好友
  • 联系TA
  • 0

    周排名
  • 0

    月排名
  • 8

    总排名
  • 0

    关注
  • 33

    粉丝
  • 14

    好友
  • 129

    获赞
  • 12

    评论
  • 187

    访问数
关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-22 04:48 , Processed in 0.010330 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
返回顶部