日志

大驱动可能存在电迁移

已有 1680 次阅读| 2014-6-19 09:50

天气: 晴朗

心情: 高兴

背景由于每芯片流片回来后，在板级老化试验时过后发现，有的片子的功能失效，针对故障芯片，开盖去层5000倍放大拍照，发现在版图区域的metal1有熔断的痕迹，而且几个失效的片子都是在同一个版图区域的同一个位置。针对这个现象专门开了一场技术沙龙。

1. 经过版图分析在熔断的区域，存在大电流的驱动逻辑门单元，

2. 几个大驱动的单元共享一根0.6um的金属地线，这几个单元同时存在前后级时钟树，在同一时刻点会存在电流的叠加，这样会导致更大的峰值电流。远超过金属的电流过载能力。

3. 另外一种可能是提高电源的供电电压，也可能导致mos管的饱和电流变大，也会导致更大的峰值电流。远超过金属的电流过载能力。

4. 是否存在内部latch up导致内部区域出现正反馈电流形成闩所效应，而导致内部金属线熔断。类似表现为金属电迁移现象。

小结，经过这次技术上的讨论，加深对金属电迁移的形成原理，以及今后在设计中怎样避免这种现象，提高芯片的可靠性又上升了一个台阶。