已有 198 次阅读| 2024-5-21 09:40 |个人分类:随时笔记|系统分类:芯片设计
在淀积外延层之前,埋层的位置如下图1示意;在淀积过程中,外延膜和晶圆的交界面会产生“外溢扩散”的现象,外溢扩散的原子来源于外延淀积前扩散到晶圆内的掺杂源,即埋层。在淀积过程中,原子扩散出来与外延膜的底部结合,使浓度发生变化。极端情况下,埋层可能扩散出来进入到双极型器件的结构内,引起电性能失效。这就是为什么画的示意图中,埋层一部分在衬底中一部分在外延层中。
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