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MOS管器件Cgs/Cgd/Cgg电容模型与Vds的关系

热度 35已有 4686 次阅读| 2023-4-21 20:34 |个人分类:FET模型|系统分类:芯片设计

MOS管的Cgs/Cgd/Cgg电容主要由Vgs和Vds控制。

其中,Vgs控制着晶体管的打开和关断,影响沟道电荷密度,进而影响电容值。

Vds主要影响source和drain的电荷分配。

Cgs/Cgd/Cgg和Vgs的关系曲线讨论较多,较为明显,此处不做赘述。

Cgd和Vds的关系曲线趋势如下:

在Vgs>Vth条件下,随着Vds的增加,Cgd的下降先保持平缓,Vds增大到一定程度后再迅速下降,最终在零附近保持平缓。

Cgg和Vds的关系曲线趋势与Vgd类似,最终减小到Cgs附近。

曲线的重点表现在两个方面:拐点和斜率。

拐点主要与Vgs和Vth有关,Vgs越大,拐点处Vds越大,且Cgd/Cgg的初始值越大,但下降区的斜率保持不变。

勘误:斜率主要与Cox(氧化层电容)有关,Cox越大,Cgd/Cgg的初始值越大,下降区的斜率(绝对值)也会越来越大。

Cgs理论上不随着Vds的改变而变化,但是测量时发现会有改变,关系较为复杂。


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发表评论 评论 (1 个评论)

回复 axel 2023-6-18 18:40
频率,电压,电荷,都是影响电容的因素,不可忽略。

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