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MOS管器件Cgs/Cgd/Cgg电容模型与Vds的关系
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MOS管的Cgs/Cgd/Cgg电容主要由Vgs和Vds控制。
其中，Vgs控制着晶体管的打开和关断，影响沟道电荷密度，进而影响电容值。
Vds主要影响source和drain的电荷分配。
Cgs/Cgd/Cgg和Vgs的关系曲线讨论较多，较为明显，此处不做赘述。
Cgd和Vds的关系曲线趋势如下：
在Vgs>Vth条件下，随着Vds的增加，Cgd的下降先保持平缓，Vds增大到一定程度后再迅速下降，最终在零附近保持平缓。
Cgg和Vds的关系曲线趋势与Vgd类似，最终减小到Cgs附近。
曲线的重点表现在两个方面：拐点和斜率。
拐点主要与Vgs和Vth有关，Vgs越大，拐点处Vds越大，且Cgd/Cgg的初始值越大，但下降区的斜率保持不变。
勘误：斜率主要与Cox（氧化层电容）有关，Cox越大，Cgd/Cgg的初始值越大，下降区的斜率（绝对值）也会越来越大。
Cgs理论上不随着Vds的改变而变化，但是测量时发现会有改变，关系较为复杂。
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