MIM（Metal-Insulator-Metal Capacitor）

结构：

通过两层金属电极（通常为最顶层金属层和次顶层金属层）及中间的绝缘介质层构成平行板电容结构。

优势：

1. 在65nm以上工艺，金属层次较少，MIM的介质层较薄，单位电容密度较高；

2. 使用高层金属作为上下极板，因此寄生电容较小；

3. 电容值较精确，不易受电压影响；

4. 线性较好，低泄露，电容稳定。
   

劣势：

1. 工艺制作上，MIM一般需要额外的mask，增加成本；
   

2. MIM的上下极板固定，不能反接；

3. 65nm工艺以下，MIM即使通过特殊工艺手段进行叠层，其单位面积电容也要小于MOM电容，反而增加了其寄生电容占比。

MOM（Metal-Oxide-Metal Capacitor）

结构：

通过多层金属连线形成finger插指电容，即利用同层 metal边沿之间的电容。

优势：

1. 在65nm以下工艺，金属层次较多，MOM电容的单位容值较大；

2. MOM的耐压比MIM高；

3. MOM上下极板可以互换；
   

4. MOM能做到较小容值，适配于某些需要特定匹配要求的电路需求；

5. 优异的射频性能及匹配特性；
   

6. 不需额外的mask，节省成本。

劣势：

1. MOM的电容精度较低；
   

2. 由于使用的是低层金属，其受寄生效应影响较大；

3. 串联电阻、电感较大；
   

4. 65nm以上工艺，金属层次较少，单位面积电容无明显优势。

MOS（Metal-Oxide--Semiconductor Capacitor）

结构：

利用MOS管的gate与沟道之间的栅氧作为绝缘介质，gate接电位作为上极板，源漏和衬底三端短接一起接地组成下极板，形成电容。

优势：

1. MOS由于其结构是特殊一般只会使用到M1金属，因此可以与MIM、MOM叠放，形成高容值MOSCAP，节省版图面积；

2. 与MIM相比单位面积电容更大；
   

劣势：

1. 电容变化较大，电压限制使用；
   

2. 底板的寄生电阻影响性能。
   

取舍：

MIM：

65nm以上工艺，可放宽成本，对电容线性及精度有要求的电路；

65nm以下工艺基本不使用。

MOM：

65nm以上工艺，对成本有要求，对电容有耐压需求且对电容精度、稳定需求不高的模拟电路；

65nm以下工艺，基本使用MOM电容，根据对容值、寄生的需求取舍金属层次，一般适配于高速、RF、低功耗、小电容、匹配需求电路。

MOS：

一般用于电源地的滤波电容。