日志

ESD管注意事项

热度 5已有 286 次阅读| 2025-8-26 17:25 |系统分类:芯片设计

ESD管的D端需要使用SAB层提高漏端的电阻率以应对ESD；
ESD管D端同时也需要加宽，形成足够宽度的漂移区以承受电压；
D端的CT与栅端也需要加大，使漏极的镇流串联电阻变大，以此应对ESD，防止击穿；
如果是靠 breakdown 启动寄生BJT,達到ESD洩流,就要加 ESD implant layer，降低NMOS的BV电压；
如果是用 RC trigger power-clamp NMOS 就不需要；
一般情况下ESD管的D端在中间，S端在两边，原因如下：
D端远离tap，等效电阻大，流过相同电流后的电压降就大，有利于寄生PN结（DB）正偏，从而有益于寄生bipolar的开启；
若D端在两边，会使得两边与中间的D端环境不一致，两边的D端面对3边tap，中间的面对2边tap；
若D端在两边，当DB的pn结导通时，导通电流不但会被source端的pn结吸引，还可能被侧面的guardring那些pn结吸引，使得电流流向tap，烧毁tap。
ESD管不宜设计过大的L和过多的finger，容易使得每根finger的开启时机不一致，使得电流集中在其中一部分finger，烧毁器件；
ESD的S/D端走线线宽要粗且均匀，多数走叠层，打孔尽量多且重叠直穿，线的过流能力需要满足设计要求。