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DEMOS与LDMOS的区别
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DEMOS（Drain-Extended MOS Transistor）:
1.剖面图：
2.结构：
DEMOS 包含一个轻掺杂的漏极扩展区，该扩展区通过在晶体管漏极端的栅极下方减少电场来提高漏击穿电压。
3.特点：
阈值电压与常规 CMOS 晶体管相似；
导通电阻相对较大；
DEMOS 是高压器件，但非真正的功率器件；
W 与 L 可根据设计需求自由选择。
4.应用：
适用于模拟电路中需要高压但电流较小的场景，如：电源稳压、电流镜、传感器接口电路等。
5.成本：
与标准 CMOS 兼容，成本较低。
LDMOS（Lateral Double-Diffused MOS Transistor）
1.剖面图：
2.结构：
LDMOS 具有一个集成的 P 型背栅，不存在单独的背栅接触。间隔较大的漏极区域围绕整个源极区，漏极接触的分离使 VDS可耐较高的电压（50-120V）。
3.特点：
阈值电压高于普通的 CMOS 晶体管;
导通电阻较低（可低至 100mΩ）;
LDMOS 是标准的功率器件;
一般 L 固定或存在一个较小值，以减小功率管面积;
存在两个体二极管，使用时得特别注意。
4.应用：
适用于高频开关和大电流场景，如LDO 的功率管、DC-DC 中的开关管等。
5.成本：
需要额外工艺步骤，成本较高。
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