随着工艺尺寸进入深亚微米，对MOS管有影响的两种效应也越来越大，分别是WPE（阱边界效应）和STI（浅槽隔离压力效应）

1、WPE（Well Proximity Effect）阱边界效应

影响：当一个MOS管靠近它所在的阱边沿时，其阈值电压会升高（器件的阈值电压受阱参杂区的参杂浓度影响），从而导致其传输特性与其他普通MOS管不同；

避免WPE效应：在需要严格对称的器件四周延伸阱区，一般来说距离阱边沿3.5um的器件可忽略WPE效应，要求高的场合需要延伸至10um；

2、STI（Shallow Trench Isolation）浅槽隔离压力效应

影响：该效应只作用于MOS管的L值方向，STI沟槽中填充的是隔离介质氧化物（二氧化硅介质），由于硅衬底和隔离介质氧化物的热力膨胀系数不同，导致STI会产生压应力会对器件两侧的有源区产生挤压，有源区受到挤压，空穴迁移率增加而电子迁移率减少，PMOS管电流随STI效应增强而上升，NMOS管电流随STI效应的增强而下降，从而改变器件特性，MOS管受到STI影响的特性包括阈值电压和饱和电流；STI并不只存在于阱边沿，在独立源漏的器件两侧也会生成STI；

避免STI效应：在最外侧的管子外再添加一个L=1以上的管子，L为1意味着加上这个器件本身的有源区，一般来说可使内部管子距离STI达到1.6um以上，要求高的场合可选择L=2；（图片来自https://blog.csdn.net/qq_30095921/article/details/126349024）

WPE效应可随阱区边沿扩大无限减小，STI效应存在于每个器件周围

版图设计中如何减小STI、WPE效应的影响

• 优化布局，减少阱个数

• 关键器件放置在距离阱边沿远的位置

• 共用源漏降低STI效应

• 加虚拟器件（dummy device）

电路设计中如何减小STI、WPE效应的影响

• 预估SA、SB、SC的值，再进行仿真测试

• 预先放大或缩小MOS管，PMOS管的电流随SA/SB增大而变小，所以预先放大PMOS，NMOS的电流随SA/SB增大而增大。所以预先减小NMOS

• 采用倍数关系设计方法（对于对称要求比较高的，如电流镜，差分放大）

• 不影响电路设计性能的情况下，尽量将PMOS管衬底接电源，NMOS管衬底接gnd，而不要到中间电位，减少阱个数