日志
FinFET工艺
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FinFET全称Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鳍式场效应晶体管，是一 种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。
FinFET结构如下：
FinFET 工艺的难点是形成 Fin 的形状，Fin 的尺寸是最小栅长的 0.67 倍左右，对于 22nm 的工艺技术，Fin 的宽度是 14.67nm，它远小于最精密浸入式光刻机所能制造的最小尺寸。Fin 的有源区并不是通过光刻形成的，而是通过 SADP（Self-Aligned Double Patterning）工艺技术形成的，它只需要一次光刻步骤，然后通过类似栅极侧墙的辅助工艺制造出 Fin 的形状。
SADP工艺里面形成的Fin都是一个围绕line的环状fin，所以必须要两头切掉(Cut)。
Fin因为U%很重要，所以layout几乎都是均匀排布的，但是实际上很多用不上，所以再把它cut掉。
SADP一般default都是做成很长的，可以通过Fin Cut把它切成好几段你想要的transistor。
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