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Memory Compiler中的RF与SRAM之间的区别？

已有 131 次阅读| 2025-1-16 21:00 |个人分类:SRAM|系统分类:芯片设计| Memory, Compiler

一、memory的端口概念：

1 port，single port：单端口，读写同端口（1RW），需要WE控制输入输出（A 、D、Q、CLK）

2 port：双端口，读写分开(1R/1W)，输入输出端口固定，可以不用WE控制（AR/AW 、D 、Q、CLKR/CLKW）

3 dual port:同样是双端口(2RW)，但读写端口不固定，且都可读可写（AA/AB 、DA/DB、QA/QB、CLKA/CLKB）

二、RF与SRAM间的差异

1 SRAM的最大容量比RF要大;

2 相同容量及配置下，RF的面积更大，功耗更低；

在容量比较小（<4k）的情况下用RF划算，并且同样的容量，RF的长宽比会更小，方便后端floorplan。大容量的时候，SRAM的速度是有优势的。并且SRAM速度快，面积小。同样大小的RF，面积就很大了，速度也慢下来了。

sram一般word起步比较大，register file的word起步很小；同样word的register file比sram面积要大，但是速度更快；综上所述，小的memory，word没到sram的起步值，没得选，只能选register file；如果既能选sram，又能选register，主要看你是否关注速度，比如用作cpu的L1 cache或者TCM，要求与CPU同频，一般只有选择register file才能满足要求；其他一般使用情况，速度不快的话，sram是面积占优！

所以简单来说，小容量选RF，大容量选SRAM。