日志
先进平台（7nm）layout effect
| |||
注：并不是所有的layout effect都存在于每一个MOSFET model中：
有以下6中layout effect及其对应的instance parameter：
（1）LOD(PO to OD edge distance): SA(B)(1|2|3)
（2）OSE(OD to OD Space Effect): SODXA(B)(1|2|4),SA(B)5(6|7),SODYT(B)
（3）PLE(Poly Length Effect)： PLODA(B)1(2|3)
（4）MBE(Metal Boundary Effect): SMBT,SMBB
（5）CPO(Cut-Poly Effect): SPOT*,LCPOTR(L),SPOB*,LCPOBR(L)
（6）PPE(Poly Pitch Effect): PPITCH
/1 
eetop公众号
创芯大讲堂
创芯人才网