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BSIM 参数1
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原文链接：https://blog.csdn.net/weixin_44307969/article/details/130101111
0.背景介绍
BSIM（Berkeley Short-channel IGFET Model）是由加州大学伯克利分校的研究人员开发的一种用于模拟金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的模型。它是一种数学模型，用于描述MOSFET器件的电流与电压之间的关系，因此在集成电路（IC）设计中被广泛使用。
BSIM模型包含了多个版本，每个版本都针对特定的器件制造工艺和应用场景进行了优化，其中包括BSIM1、BSIM2、BSIM3、BSIM4、BSIM6、BSIM-CMG、BSIM-IMG等。这些模型具有不同的精度、计算速度和适用范围，以便能够更好地满足不同的应用需求。
BSIM-CMG (Berkeley Short-Channel IGFET Model – Common Multi-Gate) 是BSIM系列模型的最新版本,旨在更准确地描述现代CMOS器件的特性和行为。相对于以前的BSIM版本，BSIM-CMG在以下几个方面进行了改进：
增加了用于描述低压操作下电流和电压之间关系的新模型。
引入了新的二维材料（如石墨烯）和垂直晶体管等新型器件的模拟。
提高了对低电压器件和快速开关应用的准确性。
1. BSIM-CMG描述
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