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EMIR

已有 1 次阅读| 2023-7-17 16:19 |系统分类:芯片设计

EM:

  1. 粗线大电流下到细线,首先增加细线,不行再考虑减小粗线或者减小孔的个数

  2. 电流能力不够(特别是LDO输出和ESD管的D端)

  3. 同一根线,不要为了加大线宽,满足EM容易,而在不同的金属层之间跳来跳去,也最好不要叠层。

  4. 修改时,注意看电路是哪一条线,对大概的修改点做到心中有数,比如差分对的走线对称且环境一致等,对应线也得加宽

IR:(一般出错在数字和LSH部分,结合IR报告,看报错点的主干道:电流从哪里来,从哪里开始加粗,顶层金属阻值小,但要注意避开DMEXCLdd DRC规则

  1. 加强主干道走电流能力

  2. LSHDVSSDVDDPIN用高层,多出几个

  3. LSH上用M3M4M5M6铺上,其余走线出PIN可以断掉其中一层金属,最好是M4

  4. LDOOUT走线最好用高层粗线金属连到相应的CELL

  5. 顶层总线电源,地高层金属用粗线,以防压降过大

  6. 数字部分画的时候注意电源地的走线通道留出来

  7. 数字部分注意连线技巧,有时IR会报电流没有流过高层金属,直接由M1流入

  8. 8.电阻上报IR,看情况而定:

  9. --如果电阻一端接电源,另一端接地,问电路,这种一般不用管

  10. --如果电阻一端接电源,另一端不接地而是接了模块,这种问电路

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