先看一张CMOS工艺截面图（原图出自Wikipedia关于latch的文章）。最左边n-well->n+->contact->Vdd metal构成NWELL tap。最右边p-substrate->p+->contact->gnd metal构成p-sub tap。这个截面图对应的是最基本的CMOS工艺。有的工艺在NMOS区域做一个PWELL，p-well->p+->contact->gnd metal构成PWELL tap。建立NWELL tap, p-sub tap/PWELL tap的主要目的是防latchup，这里就不赘述了。

如果标准元设计遵循上述结构，每个标准元内部都自带NWELL tap, p-sub tap/PWELL tap，那这个标准元库就不需要专用的well tap cell。

有的库标准元设计中省掉了NWELL tap, p-sub tap/PWELL tap，同时库里专门做一个well tap cell，名字五花八门，TAP*，FILL_TAP*… 。这种标准元库称之为tapless库。做后端设计时standard cell row每隔一定的距离就要加一个专用的well tap cell，由这个well tap cell给左右两边的其他标准元提供一个共享的NWELL tap, p-sub tap/PWELL tap。

Innovus使用addWellTap这个命令加well tap。具体参考手册。

如何判断一个标准元库是否tapless

如果使用TSMC的标准元库，可以根据库的名称或标准元的名称来判断。例如下面这个cell，名字中的BWP就代表了tapless。

IOA21D1BWP12T20P90HVT

IOA - Prefix

21  - Input configuration code

D1  - Drive

BWP - Tapless, BW for tapless with VPP/VBB cell architecture

12T - Track number

20  - Gate length

P90 - Poly pitch (nm)

HVT - Theshold

看一个标准元的layout也可判断是否内部已经有了tap，例如下面这个INV cell的layout。直接看有时不容易判断，后面分享一些小技巧。

我的小技巧是只打开NW(NWELL)和NP(N+)，看看有没有重叠。这个INV cell的NWELL和N+显然是有重叠的，在接近顶部的地方。

再打开CO(contact)和M1，就可以看到完整的NWELL->N+->contact->M1 metal构成NWELL tap。P-sub/PWELL tap也可以用同样的技巧快速确定。

至此，就可以确定这个标准元是自带well tap的，后端设计中不需要加专用的well tap cell。

同样的技巧也可以很快地判断标准元是否是tapless。例如下面这个cell的NWELL和N+根本没有重叠，不可能构建NWELL tap，这个标准元就是tapless。

顺便可以看一下这个tapless库里专用的well tap cell长什么样子。这个专用的cell的结构其实就是NWELL->N+->CONT->M1(VDD), 加上p-sub->P+->CONT->M1(GND)。

好了，希望well tap不再神秘。