自举电路

Bootstrap circuit

我们知道Nmos管开启时需要大于阈值电压Vth，但是当MOS做高端驱动时,G极电压一定要高于Vcc电压（D极）+Vth，所以需要一种电路将G极电路举高，这个电路就是自举电路。

如下：

P与N mos相比

P沟道MOSFET（PMOS）通常比具有相同RDS（on）的NMOS大约3倍。

要减小芯片面积，请用NMOS替换高端PMOS器件。

自举原理

全NMOS输出级需要自举电源为高端栅极驱动器供电。自举二极管在输出为低电平时正向偏置，从GVDD为自举电容充电。自举电容将自举节点保持在OUT + GVDD。

当输出变高时，自举二极管反向偏置。该过程为高侧栅极驱动提供浮动电源。

详细描述如下

自举电路在高压栅极驱动器中很有用，其操作如下。

当OUT被拉至地（低侧开关导通并且高侧开关关闭）时，自举电容通过GVDD电源的自举二极管充电，如图1所示。

当高侧开关导通且低侧开关关闭时，OUT上拉至PVCC，然后自举二极管反转偏置并阻断GVDD的轨电压，如图2所示。

如下图所示可以看到，电压是一步一步的升高的。

Reference

http://www.ti.com/lit/an/sloa259/sloa259.pdf

https://micro.rohm.com/en/techweb/knowledge/dcdc/dcdc_sr/dcdc_sr01/829

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-HV_Floating_MOS_Gate_Drivers-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c47de609d140a&redirId=114085

https://www.onsemi.cn/PowerSolutions/document/AND9674-D.PDF

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