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分享博士论文——射频集成电路片上电感的分析与优化设计——学习笔记: 2015-7-24 00:06; 1. 由于片上电感可以采用保护环和地屏蔽等方法进行电场屏蔽，使得电感附近的电路不受电感电场的影响。使用标准 CMOS 工艺，没有方法屏蔽电感磁场而不降低其性能，不可避免的要拉大电感与其他的电路间距，降低电感磁场的耦合，这样就增大了电感的实际芯片占有面积。 2. 电感是磁能贮存元件，在自感基 ...; 个人分类: 读书笔记|6490 次阅读|2 个评论热度 13

分享 CMOS射频集成电路分析与设计第5章读书笔记: 2015-7-14 23:25; 5.1 电阻 1. 常见电阻包括，多晶硅电阻，扩散区电阻，阱电阻，互连线电阻； 2. 工作在线性区的 MOS 管也可以当做电阻用，两个优点：单位面积电阻大，节省面积；电阻可以通过 VGS 来控制。缺点：非线性电阻，精度很低，温度系数高。 5.2 电容 ...; 个人分类: 读书笔记|5372 次阅读|0 个评论热度 4

分享 Cadence中Sp仿真得到的Zd与Z11之间的关系: 2015-3-2 22:17; 在 Cadence 仿真时，我们经常使用 Sp 来仿真输入阻抗，在使用 Sp 仿真时需要使用 Port ，并且需要在 Port 中设置输入源的阻抗，一般来说我们都设为 50 欧姆的输入源，这样在仿真完成之后会得到 S 11 性能以及 Z 11 性能，那么哪个才是我们需要的输入阻抗呢？如果我们将 S 11 的 Smi ...; 个人分类: 软件相关|12030 次阅读|2 个评论热度 9