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分享关于沟长调制效应近似为电阻的自我理解: lhxl 2021-7-1 17:50; 在没有考虑二级效应的小信号模型中，MOS管我们视为压控电流源，此时源漏电阻也是一并被包含在电流源内阻的；当考虑沟长调制时，通过计算发现沟长调制带来的影响可以表现为电阻特性，因此将这一部分，从电流源中分离出来，以电阻的形式独立出来。这是之前，一直困惑的地方，现在看起来这样解释似乎行的通，有大神有其他见解 ...; 个人分类: 问题记录|744 次阅读|0 个评论

忆阻器、第三代半导体等半导体材料与器件讲坛(资料+视频）: EETOP联合泰克科技，专门创建了“半导体材料与器件科学”的专题网页，并精心准备了海量的干货素材，涵盖PDF文档、云上讲坛视频。

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