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关于沟长调制效应近似为电阻的自我理解

已有 825 次阅读| 2021-7-1 17:50 |个人分类:问题记录|系统分类:芯片设计

在没有考虑二级效应的小信号模型中，MOS管我们视为压控电流源，此时源漏电阻也是一并被包含在电流源内阻的；当考虑沟长调制时，通过计算发现沟长调制带来的影响可以表现为电阻特性，因此将这一部分，从电流源中分离出来，以电阻的形式独立出来。这是之前，一直困惑的地方，现在看起来这样解释似乎行的通，有大神有其他见解吗？可以分享一下吗？谢谢（还在爬的模集渣渣。。。）