日志
关于tsmc0.18工艺mc_lib与mismatch_lib的疑问
热度 13| |||
这是TSMC18里的模型文件
在ADE XL里，添加了mc_lib，勾选all跟单独勾选process仿真时完全一样的结果。
把mc_lib更换为mismatch_lib，仿真出来结果与上一步略有不同。
以下是一位网友给的总结，但我还是心存疑虑，所以发了帖子。
全部作者的其他最新日志
发表评论 评论 (7 个评论)
- 回复 再美也美不过想
- 您也认可最后一张图说的，mismatch只能搭配工艺角不能搭配mc lib一起跑吗？
gtfei: 失配是指mismatch，也就是用mismatch_lib，以上的总结是正确的。
- 回复 gtfei
- 他这个工艺按照PDK里面doc的说法，MC是基于TT_CORNER下的高斯分布，举个例子也就是所有NMOS的VTH保持相同，但是相对于TT发生的VTH/COX等参数偏差，是不支持两个相邻器件之间的失配的，也就是两个相邻器件不会发生失配，只是VTH/COX等参数发生同样的高斯变化。所以你用XL跑MC CORNER就算勾选了mismatch这个选项，结果没有变化。
再美也美不过想: 您也认可最后一张图说的，mismatch只能搭配工艺角不能搭配mc lib一起跑吗？
而MISMATCH的corner是基于同一个CORNER下，相邻器件之间的失配，可以搭配不同的CORNER来使用。MC和MIS是分开的。
我这边常用的情况是，MC里面支持MIS，也就是说我所有的device先发生高斯分布，得到相同的VTH/COX等参数的移位，再这个基础上，相邻的器件再发生失配。这样仿真下来的偏差太大了，不利于分析，你想要研究失配哪里差，就固定CORNER+MIS就行了。
- 回复 再美也美不过想
- 您说的很清晰，非常感谢。
gtfei: 他这个工艺按照PDK里面doc的说法，MC是基于TT_CORNER下的高斯分布，举个例子也就是所有NMOS的VTH保持相同，但是相对于TT发生的VTH/COX等参数偏差，是不支持两个 ...
那对于一个运放的失调，是tt+mismatch来跑结果为准吗。还是说各个corner都加一遍mismatch，取最坏的结果为准？
- 回复 gtfei
- TT+MISMATCH CORNER你可以换着跑一下，应该不会差得太多
再美也美不过想: 您说的很清晰，非常感谢。
那对于一个运放的失调，是tt+mismatch来跑结果为准吗。还是说各个corner都加一遍mismatch，取最坏的结果为准？ ...
/1 
eetop公众号
创芯大讲堂
创芯人才网