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分享 RRAM学习笔记（一）: wxxyujie 2017-2-23 10:56; 阻变存储器（ RRAM ）存取操作方式为：先上电施加正向电压进行扫描，使得存储器进入 Forming 状态，这一过程称为 Forming 过程。然后施加反向电压 V Reset 使之进入 HRS 状态。再施加正向电压 V se t 使之进入 LRS 状态。这是双极性施压。还有单极性施压。全施加正向电压。对于单极性的存储器，这样做的优 ...; 个人分类: 存储器|799 次阅读|0 个评论

忆阻器、第三代半导体等半导体材料与器件讲坛(资料+视频）: EETOP联合泰克科技，专门创建了“半导体材料与器件科学”的专题网页，并精心准备了海量的干货素材，涵盖PDF文档、云上讲坛视频。

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