日志
RRAM学习笔记（一）
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阻变存储器（RRAM）存取操作方式为：先上电施加正向电压进行扫描，使得存储器进入Forming状态，这一过程称为Forming过程。然后施加反向电压VReset使之进入HRS状态。再施加正向电压Vset使之进入LRS状态。这是双极性施压。还有单极性施压。全施加正向电压。对于单极性的存储器，这样做的优点有：简化外围电路设计，节省芯片面积，缺点：编程电压的控制电压更加复杂。
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阻变存储器（RRAM）存取操作方式为：先上电施加正向电压进行扫描，使得存储器进入Forming状态，这一过程称为Forming过程。然后施加反向电压VReset使之进入HRS状态。再施加正向电压Vset使之进入LRS状态。这是双极性施压。还有单极性施压。全施加正向电压。对于单极性的存储器，这样做的优点有：简化外围电路设计，节省芯片面积，缺点：编程电压的控制电压更加复杂。
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