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日志

分享经验: zhouxuan2016 2023-12-11 10:43; 1 查看捕捉点设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025. (这个很重要，通过快捷键E来设置） 2 Cell名称不能以数字开头.否则无法做DRACULA检查. 3 布局前考虑好出PIN的方向和位置 4 布局前分析电路，完成同一功能的MOS管画在一起 5 对两层金属走向预先订好。一个图中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。 6 ...; 409 次阅读|0 个评论热度 6

分享 2023-11-09: zhouxuan2016 2023-11-9 16:43; 主要内容： LOD及OSE效应回顾 PSE效应应变硅工艺应力引入机制 eSiGe CESL PMOS和NMOS的尺寸比如何减小PSE效应的影响前面很早就写出了版图中WPE、LOD效应的推文： IC后端物理效应--Well Proximity Effect（阱临近效应）长文--IC后端物理效应--LOD Effect（扩散区长度效应）| LOD与OSE的关系可是PSE ...; 576 次阅读|0 个评论热度 1

分享电容: zhouxuan2016 2023-5-18 15:40; 作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种： 1、应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能的作用。下面分类详述之： 1）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容 ...; 541 次阅读|0 个评论热度 2

分享常用元件: zhouxuan2016 2023-5-18 15:31; 一、电阻电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。 1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。 a、数标 ...; 553 次阅读|0 个评论热度 2

分享关于esd的几种: zhouxuan2016 2022-7-15 14:07; 常用的ESD保护器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等，因其具有雪崩击穿、雪崩与注入等特性，能够瞬间进入低阻态，故具有良好的电流泄放能力，可以作为ESD防护器件。这类器件在电应力下的I-V特性示意图见图1。图1 常用ESD器件的I-V曲线示意图 1. Diode 在ESD设计中，Diode是一种常见的器件。图2为Diode ...; 4972 次阅读|2 个评论热度 35

分享工艺流程: zhouxuan2016 2022-6-10 17:36; 1、表面清洗 2、初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。（1）常压 CVD (Normal Pressure CVD) （2）低压 CVD (Low Pressure CVD) （3）热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强 CVD (Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD (Metal Organic& ...; 646 次阅读|0 个评论热度 2

分享 innovus streamOut 版图GDS导入 Virtuoso 流程: zhouxuan2016 2022-4-20 15:25; nnovus streamOut 版图GDS导入 Virtuoso 流程热度 7 已有 4583 次阅读 2021-5-9 01:07 | 系统分类: 芯片设计原文链接： https://blog.eetop.cn/blog-1592-6946728.html 混合信号 (Mixed Signal) 芯片，尤其是 AoT(Analog on Top) 风格，数字部分版图在 Innovus 里实现，需要把 Innovus 的版 ...; 5674 次阅读|0 个评论热度 22

分享 attach和reference的区别: zhouxuan2016 2022-3-10 16:21; New library时会需要选择tf，这里有几个选项，一般都选择attach 到 pdk lib。这样新建的lib在lsw位置，点击出display resource editor之后，有个位置会显示这个tf所在的lib。如果是attach的pdk lib，这里会显示pdk lib name。但新建lib时如果选择reference existing technology library的话，新建的lib会从pdk lib ...; 1136 次阅读|1 个评论热度 3

分享 merge: zhouxuan2016 2022-3-1 14:47; 1.把数字的IP的GDS导入Virtuoso中。（1）在icfb 中 file-import-stream 填写input File 即是IP的GDS文件。Top cell 就是数字IP的名称。 Library填写一样的名称。 ASCii需要一个tf文件，这个文件一般与drf文件放在一起，你去相应目录下找找。（2）打开上面的option选项， Retain Reference ...; 1112 次阅读|0 个评论热度 2

分享 2021-09-06: zhouxuan2016 2021-9-6 17:27; 转自微电中国网 microe.cn一些高人的经验之谈高压工艺ESD设计例如做I/O PIN对电源端的保护用高压非对称p管： + o! \2 L9 V3 @) \: F 1）两个相邻的source（P+注入）之间要插入一条N+注入，这条N+注入主要是为了降低衬底的分布电阻，让器件更均匀的Trigger，同时这个N+注入区不能太窄，当I/O PIN ...; 1552 次阅读|0 个评论热度 4

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