ron是直流电阻,ron=IDS/VDS=494.3m/424.2u=1.165 K rout是小信号电阻,rout=1/gds=dIDS/dVDS=1.945 K 对于Ids/Vds的曲线来说,ron是曲线的一点与原点的连线的斜率,rout是该点切线的斜率。 因为看的是振荡时瞬态下的rout,振起来rout会有些许改变,不过20 ns前看到是小信号下的,rout的值是可以对得上的。 ...
模型用的是chatGPT-4,这回答也太全面了。 how to design a high linearity power amplifier Designing a high linearity power amplifier involves several key considerations, such as the choice of device technology , the circuit topology , biasing, and linearization techniques. ...
这两种工艺,Bulk-Si工艺就是平时用的,体硅工艺,P型衬底,NMOS直接做,PMOS要先挖N阱; 要注意latch-up问题。 SOI (Silicon On Insolutor),绝缘体上硅,Si衬底上铺一层SiO2绝缘层,MOS是做在SiO2上的,PMOS也不用挖阱,也没有latch-up问题。 SOI工艺目前没有用过。 具体更多细节:请参考链接: SOI CMOS结构和 ...