日志
- 分享 低功耗设计
- 发现设计芯片的应用跟低功耗很有关系，平时就知道一个降低电压来降低功耗，还是要系统学习一下。 芯片设计进阶之路——低功耗深入理解（一） https://zhuanlan.zhihu.com/p/137937714 芯片设计中的功耗挑战和低功耗设计 https://zhuanlan.zhihu.com/p/640092988 2023_11_07 二 The key techniques t ...
- 分享 时钟
- 1. PLL和DLL的区别： https://blog.csdn.net/qq_33194301/article/details/103681263； 2.DCM、PLL以及DLL等概念及详情： https://blog.csdn.net/CLL_caicai/article/details/104975930。 这个在配置vivado的 Xilinx KC705 的clock wizard的确实碰到过。不过是MMCM和PLL。 DCM和PLL和MMCM的差别 http ...
- 分享 EIRP，天线增益
- EIRP：等效全向辐射功率，是一种等效概念，具有指向性的天线的输出功率的最大值，如果等效成全向天线所需的功率。EIRP=Ptx+Gant-Loss, 发射机的功率加上天线的增益，减去匹配损耗。 等效全向辐射功率(EIRP)与“链路预算”的计算( https://www.sohu.com/a/718318180_121124362) 关于EIRP( https:/ ...
- 分享 ASK,OOK,FSK,GFSK,GMSK,PSK的简单区分
- 都是两种状态表示0,1，一个bit。 OOK是ASK的特例，单极性不归零码。 GFSK是FSK的特例，高斯频移键控，GMSK， 高斯最小频移键控。 PSK，QPSK就是4QAM了，吞吐率更高。 更多信息可以看： https://www.cnblogs.com/whlnkdx/p/5643826.html https://zhuanlan.zhihu.com/p/639350996 ...
- 分享 ppm单位
- parts per million, 百万分之一。可以%互化，就是%表达不了的、太小的数需要用ppm这个单位。 比如20ppm=20/1 000 000=0.000 0 2=0.002%。 物理意义解释是：一个月有2.6 百万秒，如果使用一个20ppm误差的钟表，一个月就会差52秒，接近一分钟了。 更详细的解释在：https://electronics.stackexchange.com/question ...
- 分享 ron 和 rout的区别
- ron是直流电阻，ron=IDS/VDS=494.3m/424.2u=1.165 K rout是小信号电阻，rout=1/gds=dIDS/dVDS=1.945 K 对于Ids/Vds的曲线来说，ron是曲线的一点与原点的连线的斜率，rout是该点切线的斜率。 因为看的是振荡时瞬态下的rout，振起来rout会有些许改变，不过20 ns前看到是小信号下的，rout的值是可以对得上的。 ...
- 分享 Operation point的瞬态波形和噪声的各个分量的图形
- 要想看晶体管的寄生效应，一种方法是calculator里的op (DC operation point), 这种就是下面的expr，只能显示一个值。如果要想看op的瞬态反应，可以Outpus里Add OP Parameters，Type变成oppoint，然后去原理图里选，或者从原理图更新过来，就可以了。 具体操作其实都是从本站学来的，做个记录。 2024_01_30 ...
- 分享 chatGPT回答如何设计高线性度功放的问题
- 模型用的是chatGPT-4，这回答也太全面了。 how to design a high linearity power amplifier Designing a high linearity power amplifier involves several key considerations, such as the choice of device technology , the circuit topology , biasing, and linearization techniques. ...
- 分享 stack结构和cascode结构的区别
- stack结构相比cascode结构，主要是共源共栅管的栅极接了一个到地电容，这个电容的作用各文献也都分析过了，稍微总结一下就是： 做级间共轭匹配。使底下管子的功率可以最大化传到上面管子，然后输出。 和Cgs做电压分配，保证在输入功率增大的情况下，共源共栅管不会进入截止区，影响线性度。 如果小伙伴有补充 ...
- 分享 SOI 工艺和Bulk-Si 工艺
- 这两种工艺，Bulk-Si工艺就是平时用的，体硅工艺，P型衬底，NMOS直接做，PMOS要先挖N阱; 要注意latch-up问题。 SOI (Silicon On Insolutor)，绝缘体上硅，Si衬底上铺一层SiO2绝缘层，MOS是做在SiO2上的，PMOS也不用挖阱，也没有latch-up问题。 SOI工艺目前没有用过。 具体更多细节：请参考链接： SOI CMOS结构和 ...
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