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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) › 日志

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最新发表的日志| 推荐阅读的日志 | 芯片设计 | 硬件设计 | 嵌入式 | 人工智能 | 生活杂谈 | 其他

分享我看到的关于体二极管比较好理解的讲述: feilongt#2021 2024-5-28 16:42; 用过MOS管的小伙伴都知道，其内部有一个寄生二极管，有的也叫做体二极管。 1、PMOS管做开关用，S极作电源输入，D极作输出，当Vsg大于阈值电压，MOS管导通，一般MOS 管的导通内阻都很小，毫欧级别，过几安培的电流压降也才毫伏级别，此时体二极管是截至状态的。 2、PMOS管D极接电源输入，S极接输出，D极首先通 ...; 38 次阅读|0 个评论

分享两条交叉的metal线收头的脚本: Kalahari 2024-5-28 16:40; 34 次阅读|0 个评论

分享没开玩笑！高速信号不能参考电源网络这条规则，其实很难做到 ...: edadoc2013 2024-5-28 15:46; 高速先生成员--黄刚看到这篇文章的题目，我相信大家心里都呈现出了这么一个场景：高速信号线在L20层，我只要把L19和L21层都铺上完整的地平面，这不就满足了高速信号线不能参考电源平面这条规则了吗？这难道很难做到吗？PCB的设计和叠层图都给你截出来了，只要叠层够，这一点都不难啊！是的，高速信号线不能 ...; 41 次阅读|0 个评论

分享 2024-05-28: zy718 2024-5-28 15:18; 1; 27 次阅读|0 个评论

分享主要噪声的形成以及隔离方法: cj_181888888 2024-5-28 14:22; 由于流入衬底的电流引起衬底电压波动而形成的衬底噪声，或与信号线之间寄生电容耦合导致的串扰噪声。衬底噪声隔离方法： 1) 工艺上采用SOI型衬底、浅掺杂衬底、深N阱隔离技术等来减少衬底噪声干扰。 SOI 工艺：在硅晶片下增加氧化层的绝缘；浅掺杂衬底：射频 CMOS 工艺下；深 N 阱隔 ...; 45 次阅读|0 个评论

分享学习下: feilongt#2021 2024-5-28 14:08; 使用到的 skill 函数： geGetEditCellView() ； geChangeEditMode() ...; 29 次阅读|0 个评论

分享修改runset列表: feilongt#2021 2024-5-28 14:06; 本文作者：YEUNGCHIE 本文连接： https://www.cnblogs.com/yeungchie/p/13040472.html 项目多了使用Calibre runset列表的信息会非常多，不便于查找，且当 runset 文件删除之后列表依然会记录无效的路径。由于对应功能没有图形化的入口，需要在个人 home 目录下的 .cgidrcdb ...; 33 次阅读|0 个评论

分享分享一篇LVS BOX: feilongt#2021 2024-5-28 14:02; 本文作者：YEUNGCHIE 本文连接： https://www.cnblogs.com/yeungchie/p/12771194.html LVS BOX 的使用对于后端的团队协作起到非常高效的效果。通过在 lvs rules file 添加 BOX 的相关语句可以达到这个目的，但也可以通过 GUI 界面配置 LVS Options 等来更加简单的使用。依照不同的实际 ...; 31 次阅读|0 个评论

分享芯片制造全工艺流程详情: cj_181888888 2024-5-28 13:45; 芯片一般是指集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果，通常是一个可以立即使用的独立的整体。如果把中央处理器 cpu 比喻为整个电脑系统的心脏，那么主板上的芯片组就是整个身体的躯干。对于主板而言，芯片组几乎决定了这块主板的功能，进而影响到整个电脑系统性能的发挥，芯片组是主板的灵魂。 ...; 29 次阅读|0 个评论

分享【京存】助力工业4.0: 京存高性能存储 2024-5-28 10:28; 工业的诞生以蒸汽机为标志，慢慢过度到电气化、信息化，如今全面升级到智能化。从几个标志性的节点分为工业1.0-4.0，我们目前正处于工业4.0浪潮中。说到工业，我们首先想到的就是流水线。是的，流水线就是工业制品能长期稳定、大量供应的直接原因。 1769年乔赛亚·韦奇伍德对制陶流程进行了设计，划分几十道工序，专人 ...; 36 次阅读|0 个评论

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