NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统 天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NANDflash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口 轻松升级。 ...
这是俺觉得挺好的3篇台湾地区的Class D音频功率放大器论文,其中有一篇是PWM调制带有详细设计参数的,工艺是TSMC 0.35um。 另外,附有两篇关于ADC测试的论文。 附:Class D论文篇名,以防你有这些文章而白花积分。 @ 高效能D 類放大器之脈波寬度調變系統晶片研製 @ ...
扇出应该是一个门对它后续门的驱动能力,那么就是说对于某个门它都有一个扇出的限制数,书上说超出了这个限制数,后续门的工作状态可能就不正常了。那么我现在有几个问题请求和朋友们探讨一下: 1.如果我需要驱动的门的数目超出了扇出限制,那么我在扇出的位置增加驱动器可行么?那么是不是只要多加驱动器就可以驱动无 ...
话说电容之一:电容的作用 作为无源元件之一的电容,其作用不外乎以下几种: 1、应用于电源电路,实现旁路、去藕、滤波和储能的作用。 下面分类详述之: 1)旁路 旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件,它能使稳压器的输出均匀化,降低负载需求。 就像小型可充电电池一样,旁路电容能够被充电,并向器件进 ...
CMOS 非门 CMOS 非门电路结构: 用一个 PMOS 和一个 NMOS 组成的互补对称 MOS 构成的 CMOS 单元是目前数字技术中广泛使用单元电路。 如图示 CMOS 非门电路结构,将增强型 PMOS 和 NMOS 的栅极( G )接在一起,漏极( D )也接在一起, PMOS ...
硬件工程师面试试题 模拟电路 1、基尔霍夫定理的内容是什么?(仕兰微电子) 2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。(未知) 3、最基本的如三极管曲线特性。(未知) 4、描述反馈电路的概念,列举他们的应用。(仕兰 ...
u 驱动 / 负载检查 1 .要对金属线、 via , contact 的电流负载能力进行检查; 2 .检查输出管脚的驱动能力是否足够。可在仿真时在输出端追加 5p 电容为负载(作为 PAD 的等效电容),观察驱动能力是否足够; 3 .信号线接到数字 PAD 之前 ...
译文: 一种新的能够准确跟踪漏电流的技术正在成型 自从 1985 年开始, IC 行业就开始使用传输线脉冲测试来测试芯片上保护结构的静电放电( ESD , electrostatic discharge )的特性。这种 TLP ESD 测试技术是由 Maloney 和 Khurana 提出的,作为一种新的电气分 ...
最初写作本文的目的是希望提供一份中文版的Hspice手册从而方便初学者的使用,本文的缘起是几位曾经一起工作过的同事分别进入不同的新公司,而公司主要是使用Hspice,对于已经熟悉了Cadence的GUI界面的使用者转而面对Hspice的文本格式,其难度是不言而喻的,而Hspice冗长的manual(长达2000页以上)更让人在短时间内理不出头 ...
DAC 和 ADC 芯片必须满足一些特定的静态和动态参数规格,下一面一一介绍这些规格。 ■ DAC 静态参数规格 ◇最小刻度( Resolution )是指 DAC 输出端所能变化的最小值。 ◇满幅范围( FSR ),是指 DAC 输出信号幅度的最大范围,不同的 DAC 有不同的 FSR 。该范围可以是正或负的 ...
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