概述 汽车行业的高速发展,带动了汽车空调市场需求持续大幅增长。随着消费升级及节能减排政策缩紧,促使汽车空调技术不断改进和完善,汽车空调已不再是单纯的用于制冷制暖,而是涉及到多区域自动温度调节,整车系统节能环保、车内空气质量改善等。同时随着新能源车的发展,会影响到电量的分配和续航里程 ...
Everspin Technologies公司是全球领先的分立和嵌入式磁阻RAM( MRAM )和自旋扭矩MRAM(ST-MRAM)的设计,制造领导者,其市场和应用领域的数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要。凭借在数据中心,云存储,能源,工业,汽车和运输市场部署的超过7000万个MRAM和ST-MRAM产品,Everspin建立了世界上MRAM用户最强大, ...
ISSI IS61WV25616BLL是一款采用ISSI的高性能CMOS技术制造的高速4Mb快速异步 SRAM 芯片,按16位262,144个字组织。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可生产出高性能和低功耗的器件。通过使用芯片使能和输出使能输入、可轻松扩展内存。低电平有效写使能 控制存储器的写入和读取。 数据字节允许访问高字节和 ...
Everspin科技有限公司是全球领先的设计, 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生产商,自从Everspin第一款产品进入市场,由于MRAM可以保持数据持久性和完整性、低功耗等特性,在应用程序设计中起到了安全性至关重要的作用,应用在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场等, Everspin 科技 ...
灵动微 推出全新超值型MM32F0020系列MCU。该系列是灵动继MM32F0140后又一款基于12寸晶圆打造的产品系列,其搭载48MHzArm®Cortex®-M0内核,提供32KBFlash和2KBSRAM。MM32F0020系列MCU适用于各类汽车,工业和消费市场,其典型应用包括充电器、电池管理、散热风扇、烟感、玩具、电机以及8/16位MCU升级 ...
铁电随机存取存储器是一种使用铁电文件作为存储数据的电容器的存储器。即使断电也能保留内容。结合了ROM和RAM的优点,具有快速写入速度、低功耗和高读/写周期耐久性。也称为FeRAM。 FRAM 铁电存储器是一款非易失性存储器产品,与传统的非易失性存储器相比,具有写入速度快、读/写耐久性高、功耗低等优点。 ...
物联网及穿戴设备还未出世前, Serial SRAM 不能吸引主流到SRAM厂商的关注。随着串行SRAM的商机不断增多,传统的SRAM厂商进军串行SRAM领域的逐渐增多。容量和带宽将是两大推动力。 大吞吐量、小巧的串行接口SRAM芯片带来了无限的可能性。它最终有可能成为众多电路板上当代嵌入式SRAM和并行SRAM的继承者。 ...
MR0D08BMA45R是一款双电源1Mbit的磁阻随机存取存储器( MRAM )器件。支持+1.6~+3.6V的I/O电压。提供SRAM兼容的45ns读/写时序,具有无限的耐用性。数据在超过20年的时间里始终是非易失性的。数据通过低压抑制电路在断电时自动保护,以防止电压超出规格的写入。MR0D08BMA45R是必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用 ...
IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一个8M容量,组织结构为512K*16的高速率低功耗静态随机存储器。采用高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准再加创新的电路设计技术,造就了这款高性能,低功耗的器件。使用IS62WV51216的片选引脚和输出使能引脚,可以简单实现存储器扩展。IS62WV51216EBLL-45TLI采用 JEDEC 标准4 ...
富士通 型号MB85RC04V是一款FRAM芯片,位宽为512字×8位,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同,MB85RC04V能够在不使用数据备份电池的情况下保留数据。MB85RC04V使用的非易失性存储单元的读/写寿命提高到至少10 12 个周期,在数量上明显优于其他非易失性存储产品。MB85RC04V铁电存储器在 ...
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